H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер предварительного патента: 12043

Опубликовано: 16.09.2002

Автор: Исайкина Оксана Яковлевна

МПК: H01L 39/24, H01L 39/12

Метки: горения, способ, режиме, материала, получения, сверхпроводящего

Формула / Реферат:

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводящих материалов, которые могут быть использованы в электронной и электротехнической промышленности для изготовления приборов и систем, работающих при температуре жидкого азота. Способ получения сверхпроводящего материала в режиме горения включает приготовление исходной смеси из порошков оксида иттрия или оксида редкоземельного металла, пероксида бария и меди, инициирование процесса...

Номер предварительного патента: 12044

Опубликовано: 16.09.2002

Авторы: Коробова Наталья Егоровна, Со Де Хва

МПК: H01L 39/24, H01L 39/12

Метки: пленок, сверхпроводящих, способ, получения, высокотемпературных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (ВТСП), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости.Способ получения высокотемпературных сверх­проводящих пленок включает смешивание купрата иттрия - бария (0,80-5,00) мас. % в виде частиц крупностью не более 0,1 мкм, титанового биалкоголята щелочноземельного...

Номер предварительного патента: 11750

Опубликовано: 15.07.2002

Авторы: Скубилин Михаил Демьянович, Авраменко Анатолий Васильевич, Письменов Александр Владимирович

МПК: G01J 5/58, H01L 21/66

Метки: измерения, температуры, бесконтактного, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к бесконтактным методам измерения температуры по тепловому излучению и может быть использовано для определения температуры поверхности нагретых объектов, в частности, полупроводниковых пластин в технологических установках, сварных швов, гибов труб при их термообработке, расплавов веществ и т.д.В способе бесконтактного измерения температуры, включающем прием теплового излучения объекта, излучение регистрируют на...

Номер предварительного патента: 11566

Опубликовано: 15.05.2002

Авторы: Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович, Досмаилов Меержан Абишевич, Даутов Аскар Леонидович, Кеншинбаев Нурлан Кенжебаевич

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, изготовления, гетеропереход, полупроводниковый

Формула / Реферат:

Предлагаемая группа изобретений относится к полупроводниковому приборостроению, в частности, к созданию гетеропереходов и полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на их основе, и технологии приборостроения.Для уширения спектральной фоточувствительности гетероперехода в качестве широкозонного полупроводника используется биополимерное покрытие, которое наносится при комнатной температуре на воздухе.Результаты могут быть использованы при...

Номер патента: 9187

Опубликовано: 15.10.2001

Авторы: Асанов Александр Бикетович, Тулеушев Адил Жианшахович, Тулеушев Юрий Жианшахович, Лисицын Владимир Николаевич, Ким Светлана Николаевна, Володин Валерий Николаевич

МПК: H01L 39/00, H01L 39/24

Метки: тока, значением, получения, критического, способ, повышенным, сверхпроводника

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиции и проводников на их основе и может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности.Способ повышения критического тока сверхпроводника, например свинца, включает легирование их элементами.Новым по отношению к известным является то, что в качестве легирующих используют элементы, не взаимодействующие с...

Номер предварительного патента: 10594

Опубликовано: 15.08.2001

Автор: Алдамжаров Казбек Бахитович

МПК: H01L 23/00

Метки: изготовления, способ, радистор

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Оно может быть использовано в приборах, предназначенных для работы в условиях проникающей радиации как для оценки радиационной обстановки, так и для стабилизации эксплуатационных параметров электронных схем и приборов.Радистор содержит активную область с выводами, а способ его изготовления основан на формировании в подложке из полупроводникового материала одного типа проводимости области другого...

Номер предварительного патента: 10138

Опубликовано: 16.04.2001

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 49/02

Метки: теллурида, способ, пленок, ртути, получения, идентификации

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения пленок полупроводникового соединения HgTe.Предлагаемый электрохимический способ получения пленок HgTe и их идентификации является одним из наиболее технологичных и дешевых. Основное преимущество - возможность проведения идентификации пленок HgTe по мере их получения методом электроосаждения на поверхности электрода из материала с n-типом проводимости - стеклоуглерода или титана в присутствии фонового...

Номер предварительного патента: 9765

Опубликовано: 15.12.2000

Авторы: Бухман Софья Павловна, Мусина Айтжамал Слямхановна, Комутбаева Галия Алматовна, Макарова Ида Андреевна

МПК: H01L 21/445

Метки: изготовления, пленочного, способ, электрода

Формула / Реферат:

Изобретение относится к аналитической химии, а именно: к способу изготовления пленочных электродов из никелевых сплавов, предназначенных для количественного вольтамперометрического анализа. Способ, основанный на осаждении ртутной пленки на подложку, изготовленную из никелевого сплава (29 НК или 52 Н), позволяет сократить требуемую площадь поверхности получаемого электрода, способного определять большое количество металлов в широком диапазоне...

Номер предварительного патента: 9567

Опубликовано: 16.10.2000

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 31/06

Метки: двухкаскадный, трехэлектродный, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается тонкопленочный двухкаскадный трехэлектродный фотопреобразователь, включающий монолитно связанные широкозонный и узкозонный элементы, в которых база верхнего и эмиттер нижнего элементов выполнены из материала одного типа проводимости и имеют общий электрический контакт. Общий электрический контакт расположен в канавке, образованной в нижнем узкозонном элементе под верхним электрическим контактом широкозонного элемента. Подобное...

Номер предварительного патента: 9566

Опубликовано: 16.10.2000

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: пленок, эпитаксии, устройство, жидкостной, полупроводниковых

Формула / Реферат:

Предлагается устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых пленок сдвигового типа, включающее подложкодержатель с выемкой для подложки и расположенный на нем блок с отверстием для расплава, размер которого в направлении движения подложкодержателя меньше длины выемки для подложки. Подложкодержатель имеет ступеньку, примыкающую к выемке для подложки и имеющую высоту не менее размера отверстия для расплава в направлении движения...

Номер предварительного патента: 8723

Опубликовано: 15.03.2000

Автор: Рамазанов Тлеккабул Сабитович

МПК: H01L 21/02

Метки: переходов, создания, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении p-n переходов в полупроводниковых приборах.Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления стабильных резких p-n переходов в монокристаллах А3В5, улучшение электрических свойств переходов, повышение их надежности и долговечности, повышение количества и качества производимых приборов за счет обхода термической технологии, простота...

Номер предварительного патента: 8724

Опубликовано: 15.03.2000

Авторы: Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович, Сериков Тулеуш Пауеденович

МПК: F21K 2/08, H01L 33/00

Метки: интенсивного, создания, люминесцентного, способ, полупроводниках, излучения, центров

Формула / Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...

Номер предварительного патента: 8359

Опубликовано: 15.12.1999

Авторы: Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович, Дмитриев Александр Григорьевич, Джаманбалин Кадыргали Коныспаевич

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковым, контактов, способ, а3в5, омических, соединениям, изготовления

Формула / Реферат:

Предлагаемое техническое решение относится к полупроводниковой текинке, в частности, к технологии изготовления омических контактов к полупроводникам и может быть использовано при создании омических контактов к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам. Достигаемый технический результат - уменьшение омического сопротивления и повышение чистоты контакта. Для создания планарного омического контакта к полупроводниковым соединениям А3В5...

Номер патента: 8090

Опубликовано: 15.10.1999

Авторы: Джозеф А. Дехайз, Одри К. Энгелсберг

МПК: H01L 21/268

Метки: загрязнений, подложки, поверхностных, устройство, варианты, удаления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением. Изобретение позволяет удалять нежелательные поверхностные примеси без изменения подложки, расположенной ниже молекулярной кристаллической структуры подложки 12. Источник высокоэнергетического излучения содержит импульсный или непрерывного действия лазер 14 или...

Номер предварительного патента: 7342

Опубликовано: 15.03.1999

Автор: Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01L 21/26

Метки: создания, слоя, силицидового, способ

Формула / Реферат:

Способ относится к технологическим методам твердотельной электроники и может быть использован при создании диодных, транзисторных, тиристорных и оптоэлектронных устройств на кремнии.Для упрощения способа создания силицидового слоя осуществляют контролируемое наводороживание поверхности кремния, пассивацию ее гидридными Si-H связями. Способ позволяет снижать температуру формирования силицида за счет активации процесса силицидообразования...

Номер предварительного патента: 7195

Опубликовано: 15.02.1999

Авторы: Энгель Гельмут, Морозов Борис Михайлович

МПК: H01L 31/00, E04D 13/18

Метки: черепица, кровельная

Формула / Реферат:

Изобретение относится к строительству, а именно, к кровлям из черепицы, использующих солнечную энергию для получения электрической.Расширение функциональных возможностей кровельных черепиц и упрощение их конструкции достигается тем, что кровельная черепица, содержащая каркас и прозрачный защитный слой, снабжена фоточувствительным элементом, закрепленным на каркасе черепицы с помощью монтажного клея и состоящим из электродов и фоточувствительного...

Номер предварительного патента: 4791

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Баекенов Марат Абдрахманович, Искаков Бейсенбай Мамаевич, Садыков Аскарбек Амыркулович

МПК: H01L 21/00

Метки: схема, кмоп, интегральная

Формула / Реферат:

Предлагаемое изобретение относится к области полупроводниковой техники. Оно может быть использовано в устройствах, предназначенных для работы в условиях проникающей радиации. Более конкретно, речь идет о КМОП интегральных схемах, отличающихся повышенной радиационной стойкостью.Техническим результатом изобретения является повышение радиационной стойкости КМОП интегральных схем.Новым является то, что предлагаемая КМОП интегральная схема...

Номер предварительного патента: 4073

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Баекенов Марат Абдрахманович

МПК: H01L 21/26

Метки: биполярных, схем, изготовления, транзисторов, способ, интегральных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем. Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем. В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окисление,...

Номер предварительного патента: 3009

Опубликовано: 15.03.1996

Авторы: Манаков Сергей Михайлович, Таурбаев Токтар Искатаевич, Бекк Валерий Густавович, Сванбаев Елдос Абугалиевич

МПК: H01L 31/08

Метки: спектральный, твердотельный, детектор

Формула / Реферат:

Предлагаемое изобретение относится к детекторам спектрального состава излучения и предназначено для идентификации различных спектров и определения отклонения спектра от исходного.Предложен твердотельный спектральный детектор, содержащий не менее двух полупроводниковых фоточувствительных структур, расположенных друг над другом и не менее двух полупроводниковых фоточувствительных структур с разными спектральными характеристиками, расположенных...

Номер патента: 2571

Опубликовано: 15.09.1995

Авторы: Манаков Сергей Михайлович, Таурбаев Тохтар Искатаевич

МПК: H01L 31/20

Метки: фотоприемник

Формула / Реферат:

Изобретение относятся к фотоприемникам на основе аморфного гидрогенизированного кремния и предназначено для использования в фотометрических устройствах видимого спектрального диапазона. Цель изобретения - уменьшение температурного коэффициента фототока. Фотоприемник выполнен на основе аморфного гидрогенизированного кремния толщиной 0,5 мкм, содержит область собирания, фронтальный прозрачный контакт из SпO2, потенциальный барьер и зеркальный...

Номер патента: 1312

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/78

Метки: получения, тонкопленочных, структур, полупроводниковых, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения на кристаллы тонкопленочных полупроводниковых структур, используемых отдельно от затравочной подложки. Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа за счет совмещения операций отделения структуры и разделения ее на кристаллы. При отделении от затравочной подложки выращенной на ней тонкопленочной полупроводниковой структуры...

Номер патента: 1311

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/208

Метки: получения, способ, пленок, отделенных, галлия-алюминия, арсенида, фосфида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается образованием...