Патенты с меткой «структур»

Номер инновационного патента: 31503

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Альжанова Алия Ермековна, Акилбеков Абдираш Тасанович, Даулетбекова Алма Кабдиновна

МПК: B82B 1/00, B82B 3/00

Метки: структур, способ, материала, получения, основе, нанопористого

Формула / Реферат:

Сущность изобретения: создание на основе облученного ионами 130Хе и 86Кг на экспериментальном канале ускорителя DC-60, предназначен­ном для физики твердого тела, расположенном в Междисциплинарном науч­но-исследовательском комплексе в г. Астана аморфного SiCVSi нового на- нопористого материала с нанопорами конической формы методом вытравли­вания треков ионов, со средним диаметром нанопор 127-197 нм.

Номер инновационного патента: 30246

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Токмолдин Нурлан Серекболович, Омаров Марат Ахметович, Чучвага Николай Алексеевич, Клименов Василий Васильевич, Токмолдин Серекбол Жарылгапович

МПК: C30B 29/06, C30B 30/02, C30B 30/04...

Метки: структур, основе, кремния, способ, получения, тонкопленочных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...

Номер инновационного патента: 27787

Опубликовано: 18.12.2013

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: структур, устройство, монокристаллических, свободно, расположенных, пленочных, выращивания

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для получения монокристаллических полупроводниковых слоев методом жидкостной эпитаксии, в частности, для получения свободно расположенных многослойных тонкопленочных структур.Достигаемый технический результат - выращивание свободно расположенных монокристаллических пленочных структур, содержащих более одного слоя.Предлагается устройство для выращивания свободно...

Номер инновационного патента: 23915

Опубликовано: 16.05.2011

Авторы: Куаншбекова Марал Кадылбековна, Хасанов Вадим Тагирович, Швидченко Владимир Корнеевич, Москаленко Виктория Михайловна, Мазурок Виталий Васильевич, Темирова Индира Жанатовна

МПК: A01H 3/00

Метки: микроклубней, vitro, картофеля, получения, способ, структур, индуцированных, клеточек

Формула / Реферат:

Изобретение относится к сельскому хозяйству в частности к селекции и биотехнологии растений и может применяться при создании генетического разнообразия в культуре клеток и тканей растений, в исследованиях по фитопатологии и морфогенезу картофеля. Способ состоит в том, что первичный каллус, индуцированный из эксплантов-стеблей пробирочных растений, культивируют на питательной среде Мурасиге и Скуга, включающей 1,5 мг/л 6-БАП при температуре...

Номер предварительного патента: 18748

Опубликовано: 17.09.2007

Авторы: Рахимов Серик Кульчанович, Тилляева Маржан ауесхановна, Рахимжанова Раушан Ибжановна

МПК: A61B 17/58

Метки: поврежденных, голеностопного, сустава, ультразвукового, подставка, исследования, структур

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области медицинской техники и предназначено для использования в травматологии и ортопедии, а именно при исследовании поврежденных структур в области голеностопного сустава.Подставка для ультразвукового исследования поврежденных структур голеностопного сустава состоит из двух М-образных элементов, соединенных друг с другом стержнями с разнонаправленной резьбой, при этом в центре стержней имеется гайка для регулирования...

Номер предварительного патента: 18154

Опубликовано: 15.01.2007

Авторы: Сапаргалиев Ерлан Ержанович, Сапаргалиев Ержан Молдашевич, Баширов Санжар Амантаевич

МПК: A01G 23/00, A01B 79/00

Метки: пористых, деревьев, естественного, создания, структур, роста, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к облесению холмистых и горных территорий.На склоне гор, искусственных отвалов методом взрыва, ручным или механизированным способом создают пористую структуру из разного размера камней (пород) высотой от 0,5-1 м и шириной более 0,5 м. При искусственном создании пористых структур из камней в основании формируется слой щебнистого материала и почвы мощностью до 0,1 м. Рельеф такой структуры...

Номер предварительного патента: 17586

Опубликовано: 14.07.2006

Авторы: Авотынш Николай Оттович, Хамизов Руслан Хажсетович, Никитина Светлана Васильевна, Жигулёва Татьяна Ивановна, Михин Виктор Александрович, Кумахов Мурадин Абубекирович

МПК: G01N 23/233, G01N 21/64

Метки: флюоресцентный, многоканальных, основе, сенсор, структур

Формула / Реферат:

Сенсор предназначен для использования в высокочувствительных анали­тических приборах для качественного и количественного анализа природных вод и техногенных растворов, содержащих низкие концентрации определяемых ком­понентов.Конструкция сенсора обеспечивает упрощение и удешевление техноло­гии его изготовления, увеличение ассортимента анализируемых растворов, улуч­шение кинетических характеристик и повышение чувствительности анализа.Сенсор...

Номер патента: 2118

Опубликовано: 15.06.1995

Автор: Пятаева Мария Ивановна

МПК: C12N 1/14

Метки: веществ, bisporus, соматических, гриба, agaricus, структур, продуцент, биологически, штамм, активных, макроскопического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к биотехнологии и может быть использовано вкачестве продуцента биологически активных веществ. Штамм Agaricus bisporus - Д 49 получен из природного материала, а именно выделен в чистую культуру из пластинок плодового тела шампиньона. Штамм депонирован в коллекции микроорганизмов ВНИИСХМ - ВИЗР под Д 49. При культивировании штамма на твердых и жидких питательных средах продуцент накапливает биомассу до 27,3 г/л, витамины С,РР...

Номер патента: 1312

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/78

Метки: структур, получения, полупроводниковых, способ, тонкопленочных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения на кристаллы тонкопленочных полупроводниковых структур, используемых отдельно от затравочной подложки. Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа за счет совмещения операций отделения структуры и разделения ее на кристаллы. При отделении от затравочной подложки выращенной на ней тонкопленочной полупроводниковой структуры...