C30B 29/06 — кремний
Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала
Номер патента: 30495
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: ПИХАН, Этьенн, КАМЕЛ, Дэнис, КОУДУРИЕР, Николас
МПК: C30B 11/00, C30B 29/06, F28F 3/04...
Метки: полупроводникового, отверждения, кристаллизации, материала, системы, теплообменник
Формула / Реферат:
31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...
Устройство для получения кристаллического материала в тигле, имеющем неравномерное тепловое сопротивление
Номер патента: 30494
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: ПИАН, Этьен, ЖУЕНИ, Анис, КАМЭЛЬ, Дэни, КУСТЬЕ, Фабрис
МПК: C30B 11/00, C30B 29/06, C30B 11/14...
Метки: сопротивление, устройство, имеющем, тепловое, тигле, неравномерное, кристаллического, получения, материала
Текст:
...лавки материала, подлежащего кристаллизации,при сохранении зародыша кристаллизации (3) как минимум, частично, в твердом состоянии,- создание второго термического градиента в устройстве, представляющем тигель (10), для кристаллизации материала,находящегося в расплавленном состоянии,на зародыше кристаллизации (3). 21. Способ по пункту 20, отличающийся тем,что зародыш кристаллизации расположен в выемке нижней части (2) устройства, образующего...
Способ получения тонкопленочных структур на основе кремния
Номер инновационного патента: 30246
Опубликовано: 17.08.2015
Авторы: Токмолдин Нурлан Серекболович, Омаров Марат Ахметович, Клименов Василий Васильевич, Чучвага Николай Алексеевич, Токмолдин Серекбол Жарылгапович
МПК: C30B 30/04, C30B 29/06, C30B 30/02...
Метки: тонкопленочных, способ, получения, основе, кремния, структур
Формула / Реферат:
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...
Способ получения монокристаллического кремния из рудного сырья и устройство для осуществления способа
Номер инновационного патента: 21224
Опубликовано: 15.05.2009
Авторы: КИМ Леонид Алексеевич, ТЕН Роберт Константинович
МПК: C01B 33/025, C01B 33/023, C30B 29/06...
Метки: способ, рудного, сырья, получения, монокристаллического, устройство, осуществления, способа, кремния
Формула / Реферат:
Предлагаемый способ и устройство относятся к технологии получения монокристаллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния.Задачей предлагаемого технического решения является создание способа получения моно-кристалллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния и...
Монокристалл силикагеля
Номер предварительного патента: 8313
Опубликовано: 15.12.1999
Авторы: Ерматов Садвакас Ерматович, Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Бактыбаев Киргизбай, Тогжигитов Кадыр
МПК: C30B 29/06
Метки: монокристалл, силикагеля
Формула / Реферат:
Изобретение относится к устройству для сборки и ремонта рельсошпальных звеньев железнодорожного пути с разнотипными шпалами. Технический результат изобретения - повышение эффективности линии путем обеспечения возможности сборки звеньев с разнотипными шпалами. Звеносборочная линия содержит конвейер для подачи ремонтируемых звеньев, рельсопитатель, шпалопитатель с механизмом разделения шпал, сверлильный станок, конвейер для подачи шпал с...
Поликристалл силикагеля
Номер предварительного патента: 8314
Опубликовано: 15.12.1999
Авторы: Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Бактыбаев Киргизбай, Орозбаев Раш, Тогжигитов Кадыр
МПК: C30B 29/06
Метки: поликристалл, силикагеля
Формула / Реферат:
Изобретение относится к устройству для сборки и ремонта рельсошпальных звеньев железнодорожного пути с разнотипными шпалами. Технический результат изобретения - повышение эффективности линии путем обеспечения возможности сборки звеньев с разнотипными шпалами. Звеносборочная линия содержит конвейер для подачи ремонтируемых звеньев, рельсопитатель, шпалопитатель с механизмом разделения шпал, сверлильный станок, конвейер для подачи шпал с...