Патенты с меткой «тонкопленочных»

Номер инновационного патента: 30246

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Чучвага Николай Алексеевич, Токмолдин Серекбол Жарылгапович, Омаров Марат Ахметович, Токмолдин Нурлан Серекболович, Клименов Василий Васильевич

МПК: C30B 29/06, C30B 30/02, C30B 30/04...

Метки: тонкопленочных, получения, структур, кремния, способ, основе

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...

Номер предварительного патента: 11642

Опубликовано: 14.06.2002

Авторы: Деграф Геннадий Андреевич, Яр-Мухамедова Гульмира Шарифовна, Яр-Мухамедов Шариф Ханафиевич

МПК: C23C 14/34

Метки: способ, получения, титана, нитрида, тонкопленочных, покрытий

Формула / Реферат:

Изобретение относится к вакуумно-дуговому способу получения однотонных по цвету покрытий путем распыления титана в азотсодержащей среде при давлении 0,08-0,3 Па и плотности ионного тока 25-50 А/м2. Прочность сцепления покрытия с основой увеличивается.

Номер патента: 1312

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/78

Метки: тонкопленочных, полупроводниковых, структур, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения на кристаллы тонкопленочных полупроводниковых структур, используемых отдельно от затравочной подложки. Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа за счет совмещения операций отделения структуры и разделения ее на кристаллы. При отделении от затравочной подложки выращенной на ней тонкопленочной полупроводниковой структуры...