Способ получения полупроводниковых тонкопленочных структур

НАЦИОНАЛЬНОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО ПРИ КАБИНЕТЕ МИНИСТРОВ(24)(ИЫ 0194 ры и разделения ее на кристаллы. При(60)Е 10987,Л 4 З 04525 КП-25(1 П отделении от затравочной подложки(73) Казахский государственный Напиоцальшш ушла дыр щенной на ней тднкошдендчной поттстттимди Полит лупроводннковой структуры применяют(2) В.С. Антощенко Ш.Б. вайганаточ дополнительную подложку, предварительт на иГ 1 ЪТЪурбасн но присоединенную к структуре, выпол(46)151194 эШ-ЬЗ ненную на отдельных эластично соеди(56) км. МсС 1 е 11 апс 1 е в 11.А Ьесппйт пенных между собой крнстал-подержатесие Бот ртооцсйпр ерах 1 а 1 Е 11 шв оп ПЕЙ, ИМЕЮЩИХ ВОЗМОЖНОСТЬ взаимного геиаеаЬ 1 е виьзсгасев. - Арр 1. Рпуа. ПОВОРОТЗ ДРУГ ОТНОСИТЗЛЬНО друга. ЪесЬ., З 7(6), 15 5 ер 1930, р 55 о- отрывая структуру от затравочной подо 562. ложки, дополнительную подложку изгиКопа 3 а 1 М. ес а 11. Н 13 Ь еЕЕ 1 с 1 епсу бают в результате чего одновременно Са Аз Ьпйи Е 11 шэ ао 1 ат се 11 вЬу рее- С ОТДЕЛВННЕМ СТРУКТУРЫ ПРОИСХОДИТ Ъеа Е 11 ш есЬпо 1 о 5 у. Д оЕ Сгуаа 1 - Разделение Ее На Отдельные КРНСТгЛПЫ Стонсп, 1978, 45, р. 277-280, изгнб дополнительной подложки на стьг как кристаллодержателей приводит к(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ П 0 ЛУПР 0 ВОДНИКО- раскалыванию тонкой структуры на от ВЫХ ТОНКОПЕНОЧЫХ СТРУКТУР дельные кристаллы проведения предварнтельной операции скрайбнрования(57) Изобретение относится к техноло- или надреаания. для повыения качестгии полупроводниковых приборов и мот ва получаемъш кристаллов рабочие граиет быть использовано для разделения ни крнсталлодержателей ориентируют на кристаллы тонкопленочных полупро вдоль плоскостей (1101 тонкопленочводннковых структур, используемых от- ной структуры, а сами кристаллодержадельно от ватравочной подлодки. телн выполняют в виде усеченных пиЦель изобретении расширение техноло- рамид, большее основане которых обгическнх возможностей способа за счет решено к тонкопленочной структуре.совмещении операций отделения структу 2 3 п ф-лы 1 ил.Изобретение относится к текноло структуры и разделения ее на краегни полупроводниковых приборов и мо- таллы жет быть использовано для разделения На чертеже схематично показан На кристаллы ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОПУПРО ПРННЦип отделения тонкопленочной водниковых структур, используемых ото структуры от затравочной подложки дельно от затравочной подложки. с одновременнм разделением ее на Цель Изобретения - расширение тех- кристаллы. нологнческнк возможностей способа за На затравочной полупроводниковой9 ВеЩ 9 Нд Операций отделения подложке 1 выращивают тонкопленочнушструктуру 2, используя при этом промежуточный слой 3. Затем к тонкопленочной структуре присоединяют,например, зпоксиднм клеем дополнительную подложку д, выполненную из эластично соединенных между собой с помощью полимерного слоя 5 кристаллодержателей 6.После удаления промежуточного слоя, например, селективным травлением отделяют тонкопленочную структуру от затравочной подложки, для чего дополнительную подложку изгибают, как это показано на чертеже. Поскольку кристаллодержатели, удерживаевые полимерным слоем, имеют возможность поворота друг относительно друга, то при перемешивании дополнительной подложки с закрепленной на Р ней полупроводниковой тонкопленочной структурой происходит разделение последней на отдельные кристаллы 7 изгиб дополнительной подложки на стыках кристаллодержателей приводит к раскалыванию структуры по линиям изгиба. Предварительного нанесения на полупроводниковую структуру какихлнбо надрезов или рисок не требуется.Таким образом, одновременно с отделением структуры от затравочной подложки происходит разделение ее на кристаллы, при этом достигается высокий выход годных кристаллов. Это обеспечивается тем, что отдельные кристаллодержатели жестко закреплены на структуре, а возможность изгиба на стыках между ними позволяет сконцентрировать там механические напряжения, предотвращая ик распространение внутрь отдельных кристаллов и исключая тем самым произвольное разламвание.После разделения кристаллы также защищены от произвольного разламываиия самими крнсталлодержателями. Форна рабочих граней крнсталлодержателей-граней, обращенных к структуре,определяет форму разделенных предложенным способом кристаллов она может быть квадратной, прямоугольной,треугольной.Ориентнрованнем боковых сторон кристаллодержателей вдоль плоскос тей спайности структуры во время присоединения к ней дополнительной подложки достигается высокое качество получаемх кристаллов, так как наилучшее скалывание происходит как размид позволяет при отделении структуры от затравочной подложки устранить Горизонтальную составляющую отрывной нагрузки. Такая составляющая, не- избежно возникающая В случае применения кристаллодержателей например,кубической формы, может привести к растрескиванию структуры внутри отДПЬНЫХ кристаллов.В качестве примера практической реализации рассматривается отделение тонкопленочной структуры от затравочной подложки, выполненной из Саав.Дополнительную подложку, состоящую из 10 Ъ 0 кристаллодержателей в виде усеченных прямоугольных пирамид с размерами у основания 111 мм 2 и высотой 0,2 мм, зластично соединенных между собой с помощью полимерного слоя, приклеивалн эпоксидным клеем к тонкопленочной структуре на основе арсенида галлия с ориентацией в плоскости (100), выращенной методом жидкофазной зпитаксии на промежуточном слое из Аддд Садд Аз, предварительно нанесенном на затравочную подложку из Сааз с той же ориентацией. Перед приклеиванием дополнительную подложку ориентировали так, чтобы боковые стороны кристаллодержателей были параллельны плоскостям (110) структуры. После отверждения клея проводили стравливание слоя А 1 дСад 3 Аз в горячей концентрированной соляной кислоте С ОДНОВРЕМЕННЫМ ПРНЛОЖЕННЕН К ДО ПОЛННТЕЛЬНОЙ ПОДЛОЖКЕ отрывной НЗГ рузки.Врезультате матрицукристаллодержателеиотделяливместесо структурой отзатравочной подложки, одновременноразделяя структуруна отдельные кристаллы площадью 1 мм, прикрепление к соответствующим крнсталподержаталям.Предложенное изобретение расширяет технологические возможности известных способов отделения тонкопленочной структуры от затравочной подложки, так как позволяет одновременно разделять структуру на отдельные кристаллы без предварительного ее иадрезания или скрайбировання. Кроме того, применение изобретения позволяет автоматизировать процесс сборки тонкопленочных приборов, так как пос ле разделения каждый тонкий кристалл5 уже ПРИСОЕДИНЕН К более МЗССИВНОМУ ОСНОВЗННЮ КРИСТЗЛЛОДЕРЖЕЗТЕЛЮ.Ф о р М у Л а и 3 о б р е т е н И я 1. Способ получения полупроводниковых тонкопленочных структур, включающий присоединенне тонкопленочной полупроводниковой структуры, выращенной на затравочной подложке, к дополнительной подложке и их совместное отделено от затравочной подложки, 0 т л н ч а ю Щ н й с я тем,что, с целью расширения технологических возможностей способа, дополннтельную подложку выполняют из эластичносоединенных между собой крнсталлодержателей при этом при операции отделения от затравочной подложки дополнительную подложку изгибают.2. Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что кристаллодержателн ориентируют относительно полупроводниковой пленки из условия получения раэлома по кристаллографическому направлению 0.3. Способ по п.1, о т л и ч а кг Щ и й с я тем, что крнсталлодержатели выполняют в виде усеченных пирамид, большее основание которых обращено к тонкопленочной структуре.СХБОЧКИН Верстка Казпатент А.Е.Бекенева Ответственный за выпуск Э.З.ФаИ 3 ова