C30B 19/00 — Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев
Способ получения пленок Al x Ga 1-x As и Al x Ga 1-x P
Номер патента: 1257
Опубликовано: 15.09.1994
Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич
МПК: C30B 19/00
Метки: получения, способ, пленок
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения. тонких отделяемых пленок АIII - BV - методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - предотвращение разрушения пленок и уменьшение расхода Ga. Способ включает последовательное формирование металлического слоя и пленки Alx Ga1-xAs или АlxGа1-xP на затравочной подложке GaAs или GaP из расплава, содержащего Sn, A1 и 8-10 ат.% Ga, отделение...