Способ получения пленок Al x Ga 1-x As и Al x Ga 1-x P

НАЦИОНАЛЬНОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО ПРИ КАБИНЕТЕ МИНИСТРОВ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН(73) Казахский государственный университет им. Аль-Фараби(5-6.) СПОСЕЕ ППЛУЧЪЗННЯ ЕШНННК А 1 УЛ 1 ХАБ И 91134 1- КР(57) Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов н может быть использовано Для полУЧЕНИП.ш Н тонкпх отделяемых пленок А В ме Изобретение относится к технологии полупроводниковът материалов и может быть использовано для получения тонких отделяемых пленок А Вч методом жндкофааной эпитаксии. РЦель изобретения предотвращение разрушения пленок н уменьшение раст хода Са.П р и м е р 1. Затравочпую подложку Саде, имеющую линейные размеры 1 Ок 1 Ох 135 ммз, размещают в графитовом слайдере. В графитовый нонтейнер помещают навеску сплава, содержащего 8 ат.Х На, 0,18 ат.Х А 1 и 91,12 атХ Бп. Сплав предварительно гомогеннзируют н течение 2 ч при 727 С н давлении 105 мм рт.ст. Слайдер вставляют в контейнер, который затем размещают В реакторе установки Сплав-2 Реактор продувают очишенны водородом и нагревают дотодом жидкофааной эпнтакснн. Цель изобретения - предотвращение разрушат ния пленок н уменьшение расхода Са. Способ включает последовательное формирование металлического слоя н пленки А 1 д 6 адА 5 или А 1 дСа 4 дР на затравочной подЛожкеСаА 5 или СаР из расплава, содержащего 3 п А 1 И 8 10 ат.Х Са отделено затравочной подложки и очистку пленки от металлнческого слои при температуре 226000. Предлагаомьш Способ позволяет предотвратить разрушение пленки при отделении от затравоцной подложки и на порядок снизить расход Са по сравнению с прототипом.Э 7 С При этой температуре расплав приводят в контакт с подложкой н выдшшшшштвгшчшше 10 ьшн.Ъшшша расплава над подложкой составляет1 мм Далее снижают температуру со скоростью бСКммн При 52706 прерывают контакт растворарасплава с подложкой н продолжают снижение температуры до 27 С. При этой температуре реактор раэгружаюто Полученная композиция состоит на затравочпой подложки, металлического слон толпиной 5 ы 20 мкм и пленки А 1 од 5 СадВ 5 А 5 толщиной 5 мкм. С поверхности пленки марлевым тампоном, смоченньш в спирте, удалнют остатки растворатрасплава Далее к очищенной поверхности пленки с помощью эпоксидной смолы приклеивают вторичную кварцевую подложку, имеющую линейные размеры Т 25 х 12,5 кх 0,5 шмз. Полученную композицию на А 921(11)(Э)21(61)гревают до 27 С.-Между вторичной и затравоиной подложкам вводят клин и отделяют еатравочную подложку без какиклибо разрушений пленки. При 5 этой же температуре с поверхности 1111851 сВТНОГОП удаляют остатки а 15 сац 85 А 5 10 имеет гладкую зеркальную поверхность. Расход Са на получение пленки составллет 0,07 гсм 2.П р н м е р 2., Затравочнуто подпаян 5 ку СаР имеющую линейные размеры 10 х 1 Ох 1,35 ммъ, размещают в графитовом слайдере В графитовый контейнер кольцам плова, содержащего 8 ат. Са 0,18 ат. А 1 и 91,12 ат.2 5 п Сплав предварительно гомогенизируют в течение 2 ч при 80000 и давлении 105 мм ртдст. Слайдер вставляют в контейнер, которьт затем размещают в реакторе установки Сплав- 25 2. Реактор продувают очищенпы водородом н нагревают до 800 С При этой температуре расплав приводит вкоитакт с подложкой н выдерживают н течение 10 минут. Толшна расплава над подложкой составляет 1 им. Лалее снижают темературу со скоростью 6 сХмин При-температуре 600 С прерьшают контакт растворарасплава с подложкой н продолжают снижение темт пературы до 27 С. При этой температуре реактор разгружают. Полученная композиция состоит из затравочной подложки, металлического СЛОЯ толщит ной 520 мкм и пленки А 1 д 3 СадддР толщиной 4 мкм С поверхности пленки смоченным в спир Цдц ч дте, удаляют остатки растворараспла на при температуре 27 С. далее с поМОЩЬЮ эпоксидной смолы приклеивают вторичную кварцевую подложку, имеющую линейные размеры 125 к 12,5 х к 05 миг. Полученную композицию подогревают до 27 С. Между вторичной и эатравочной подложками вводит клин и отделяют затравочную подложку, какиелибо разрушеня пленки при этом отсутствуют. С поверхности пленки при темературе 27 С с помощью ватного тампона, смоченного-в спирте, удаляют остатки металлического слоя, Полученная пленка твердого раствора А 1 д 27 Садд 3 Р имеет гладкую зеркальную поверхность. Расход галлия На попучение нленки составляет 0,07 г/смяд Предлагаемый способ позволяет предотвратить ра 3 РУЩение пленки при отделении от затрапочной подложки и на порядок снизить расход Са по сравпению с прототипом. Ф о р М у л а и З о б р е т е н и Я Способ получения пленок А 1 дСаЬАв и А 1,Са 1 дР, включающий последовательное формирование металлического слон и пленки на затравочной подложке СаА 5 или Се из расплава, содержащего Бп и А 1 отделение и очистку пленки от металлического слоя при температуре, превышающей температуру эвтектикн Зпкса, о т л и ч а ю Щ и йс я тем, что, с целью предотвращения разрушении пленок и уменьшения расхода Са, в расплав дополнительно вводит Са в количестве 8-10 ат. а отделение и очистку пленки осущест вляют при температуре 2260 С.Типография ИЗДЗТВЛЬСТВЗ Ъаржы-Наражат МИНИСТрСТВЗ финансов Республики Казахстан.