Таурбаев Токтар Искатаевич

Номер инновационного патента: 27091

Опубликовано: 14.06.2013

Авторы: Приходько Николай Георгиевич, Таурбаев Токтар Искатаевич, Мансуров Зулхаир Аймухаметович, Диханбаев Кадыржан Кенжеевич, Ауелханкызы Молдир, Лесбаев Бахытжан Тастанович

МПК: H01L 31/052, B82B 1/00

Метки: солнечного, элемента, изготовления, способ

Формула / Реферат:

Изобретение может быть использовано в производстве оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов. Способ изготовления солнечного элемента включает нанесение на кремниевую пластину с р-n переходом наночастиц оксида никеля, образованных на нихромовой про­волоке в противоточном пламени пропана к кислороду, при температуре 950 °С, с после­дующим импульсным световым отжигом при температуре 1000 С в течение 5 сек....

Номер предварительного патента: 11188

Опубликовано: 15.02.2002

Авторы: Поздняков Алексей Владимирович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Данияр Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: способ, поликристаллического, получения, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты.Тетрахлорид кремния в предлагаемом способе получают, воздействуя хлором на кварцевое сырье, например, кварцевый песок при температуре 900-1300 °С. Полученный продукт очищают ректификацией, и ректификат подают в реактор для восстановления водородом. При этом восстановленный кремний оседает на нагреваемых кремниевых...

Номер предварительного патента: 9567

Опубликовано: 16.10.2000

Авторы: Таурбаев Токтар Искатаевич, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 31/06

Метки: фотопреобразователь, двухкаскадный, трехэлектродный

Формула / Реферат:

Предлагается тонкопленочный двухкаскадный трехэлектродный фотопреобразователь, включающий монолитно связанные широкозонный и узкозонный элементы, в которых база верхнего и эмиттер нижнего элементов выполнены из материала одного типа проводимости и имеют общий электрический контакт. Общий электрический контакт расположен в канавке, образованной в нижнем узкозонном элементе под верхним электрическим контактом широкозонного элемента. Подобное...

Номер предварительного патента: 3009

Опубликовано: 15.03.1996

Авторы: Таурбаев Токтар Искатаевич, Манаков Сергей Михайлович, Сванбаев Елдос Абугалиевич, Бекк Валерий Густавович

МПК: H01L 31/08

Метки: спектральный, детектор, твердотельный

Формула / Реферат:

Предлагаемое изобретение относится к детекторам спектрального состава излучения и предназначено для идентификации различных спектров и определения отклонения спектра от исходного.Предложен твердотельный спектральный детектор, содержащий не менее двух полупроводниковых фоточувствительных структур, расположенных друг над другом и не менее двух полупроводниковых фоточувствительных структур с разными спектральными характеристиками, расположенных...

Номер патента: 1312

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/78

Метки: полупроводниковых, тонкопленочных, структур, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения на кристаллы тонкопленочных полупроводниковых структур, используемых отдельно от затравочной подложки. Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа за счет совмещения операций отделения структуры и разделения ее на кристаллы. При отделении от затравочной подложки выращенной на ней тонкопленочной полупроводниковой структуры...

Номер патента: 1311

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/208

Метки: получения, пленок, арсенида, отделенных, фосфида, способ, галлия-алюминия

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается образованием...

Номер патента: 1257

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: C30B 19/00

Метки: пленок, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения. тонких отделяемых пленок АIII - BV - методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - предотвращение разрушения пленок и уменьшение расхода Ga. Способ включает последовательное формирование металлического слоя и пленки Alx Ga1-xAs или АlxGа1-xP на затравочной подложке GaAs или GaP из расплава, содержащего Sn, A1 и 8-10 ат.% Ga, отделение...