Патенты с меткой «кремния»

Номер инновационного патента: 30680

Опубликовано: 15.12.2015

Авторы: Ибраимов Маргулан Касенович, Жанабаев Зейнолла Жанабаевич, Асанов Гани Сатбекович, Сагидолда Ерулан

МПК: H03B 19/00

Метки: наноразмерной, хаотических, сигналов, генератор, кремния, пленке, пористого

Формула / Реферат:

Изобретение является генератором хаотических сигналов (генератор хаоса), реализованным на наноразмерной пленке из пористого кремния, вольт-амперная характеристика которой содержит области с отрицательным дифференциальным сопротивлением. В области напряжений 1,8-3 В на выходе генератора реализуется хаотический сигнал, похожий на гауссовский шум.

Номер инновационного патента: 30246

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Токмолдин Нурлан Серекболович, Клименов Василий Васильевич, Чучвага Николай Алексеевич, Омаров Марат Ахметович, Токмолдин Серекбол Жарылгапович

МПК: C30B 30/02, C30B 30/04, C30B 29/06...

Метки: получения, структур, кремния, тонкопленочных, способ, основе

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...

Номер инновационного патента: 29014

Опубликовано: 15.10.2014

Авторы: Калкозова Жанара Калиевна, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич, Габдуллин Маратбек Тулебергенович, Диханбаев Кадыржан Кенжеевич, Исмаилов Данияр Валерьевич

МПК: C01B 33/037

Метки: кремния, примесей, способ, бора, устранения, порошка

Формула / Реферат:

Изобретение может быть использовано для получения кремния с пониженным содержанием примеси бора. Способ заключается в создании на поверхности кремния слоя нанопористого кремния с последующей термообработкой при температуре около 1000°С и химической обработкой пористого слоя. Изобретение позволяет снизить энергоемкость и длительность процесса очистки, сократить расход материалов для химической обработки. Изобретение относится к солнечной...

Номер инновационного патента: 28704

Опубликовано: 15.07.2014

Авторы: Жаканбаев Елдар Асхатович, Тулеушев Юрий Жианшахович, Володин Валерий Николаевич

МПК: C30B 31/22, C30B 31/20

Метки: легирования, способ, пленке, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения специальных покрытий для тонкопле­ночных фотоэлементов и может быть использовано в материаловедении и других отрас­лях.Способ легирования кремния в пленке включает одновременное со сдвигом в про­странстве распыление кремния и легирующего элемента в нанодисперсное состояние, со-осаждение их субслоями в виде островкового покрытия размером частиц кремния и/или легирующего элемента менее критического, при...

Номер патента: 27803

Опубликовано: 18.12.2013

Автор: Бектурганов Нуралы Султанович

МПК: C01B 33/025

Метки: способ, выплавки, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к способам получения кремния в электротермических печах с использованием твердых углеродсодержащих веществ.Достигаемый технико-экономический эффект заключается в сокращении перечня используемых при выплавке кремния материалов, в экономии электроэнергии.Для достижения указанного результата готовят шихту с введением в нее кварца и углеродсодержащего восстановителя, в состав которого...

Номер патента: 26747

Опубликовано: 15.03.2013

Авторы: Ким Василий Анатольевич, Щебентовский Владимир Дмитриевич

МПК: C01B 33/025

Метки: использованием, получения, кремния, способ, кристаллического, рексила

Формула / Реферат:

Способ выплавки кристаллического кремния с использованием РЕКСИЛаИзобретение относится к металлургии ферросплавов, конкретно к выплавке кристаллического кремния.Технический результат изобретения - изменение состава шихты для выплавки кристаллического кремния, повышение степени извлечения кремния и чистоты выплавляемого металла, снижение удельного расхода электроэнергии и повышение производительности руднотермической печи в единицу...

Номер патента: 26641

Опубликовано: 25.12.2012

Авторы: Сухарников Юрий Иванович, Жарменов Абдурасул Алдашевич, Назарбаев Нурсултан Абишевич, Толымбеков Манат Жаксыбергенович, Школьник Владимир Сергеевич

МПК: C01B 33/02, C01B 33/025, C01B 33/00...

Метки: рисовой, кремния, поликристаллического, способ, шелухи, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области термической переработки рисовой шелухи и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния.Технический результат изобретения - повышение извлечения кремния и снижение энергозатрат на процесс.Технический результат достигается способом полученияполикристаллического кремния из рисовой шелухи, включающийгидроочистку, пиролиз, окислительный обжиг и карботермическоевосстановление...

Номер инновационного патента: 26252

Опубликовано: 15.10.2012

Авторы: Солиман Аль-Ховайтер, Токмолдин Серекбол Жарылгапович, Токмолдин Нурлан Серекболович, Чумиков Геннадий Николаевич, Бектурганов Нуралы Султанович, Тамендаров Марат Фатыхович

МПК: C01B 33/02

Метки: шлака, порошок, отделения, примесей, кремния, диспергирование, способ, кремниевого, очистки, кускового, порошка

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу удаления примесей из металлургического кремния для получения кремния, используемого при изготовлении солнечных модулей.Описывается способ удаления примесей из расплавленного металлургического кремния при атмосферном давлении в воздухе, включающий в себя: 1) обработку расплавленного кремния щелочным шлаком, 2) охлаждение смеси, сопровождаемое расщеплением шлака, что способствует его отделению от кремния, 3)...

Номер инновационного патента: 24079

Опубликовано: 15.06.2011

Авторы: Шаймерденова Кулжан Мейрамовна, Булкаирова Гулден Айтпаевна, Кусаиынов Каппас, Нусупбеков Бекболат Рахишевич, Хасенов Аянберген Каирбекович, Нусупбеков Улан Бекболатович

МПК: B02C 19/00

Метки: устройство, природных, минералов, кремния, измельчения, металлургического, электроимпульсное

Формула / Реферат:

Изобретение касается дробления и измельчения природных минералов, например, кварца, волластонитовых руд и металлургического кремния и относится к устройствам для электроимпульсного измельчения твердых материалов. Задачей изобретения является повышения производительности и снижение энергозатрат. Процесс измельчения природного минерала осуществляют электроимпульсным устройством, включающее высоковольтный положительный электрод, выполненный в виде...

Номер инновационного патента: 23879

Опубликовано: 15.04.2011

Авторы: Ким Сергей Васильевич, Жарменов Абдурасул Алдашевич, Кударинов Сагинтай Хинаятович, Толымбеков Манат Жаксыбергенович, Ким Василий Анатольевич

МПК: C22B 4/00, C01B 33/12

Метки: кремния, способ, выплавки, кристаллического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к металлургии ферросплавов, конкретно к выплавке кристаллического кремния методом электротермии.Решаемой задачей изобретения является получение кристаллического кремния с содержанием базового элемента - кремния более 99,3 %, путем использования чистого, по содержанию вредных примесных элементов, кремнеуглеродистого материала - продукта пиролиза рисовой шелухи, обеспечивающего полную или частичную замену твердых углеродистых...

Номер инновационного патента: 23866

Опубликовано: 15.04.2011

Авторы: Абдулкаримова Роза Габдуловна, Мукасьян Александр Сергеевич, Ермекова Жанна Сериковна, Мансуров Зулхаир Аймухаметович

МПК: C01B 31/36

Метки: способ, карбида, получения, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии получения высокодисперсного порошка карбида кремния, а именно к нанотехнологии получения нанопорошков карбида кремния. Способ получения карбида кремния включает смешение (52-54) мас.% мелкодисперсного порошка диоксида кремния, (8-12) мас.% сажи и (36-38) мас.% порошка магния, механическую активацию в высокоэнергетической планетарной шаровой мельнице, прессование до плотности 1, 04-1,63 г/см3, термообработку...

Номер инновационного патента: 23708

Опубликовано: 15.02.2011

Авторы: Жакибеков Тыштыкбай Бейсембаевич, Жакибеков Данияр Тыштыкбаевич, Садыков Нурлан Аманович

МПК: F27B 3/15, F27D 3/14

Метки: кристаллического, подины, кремния, электропечи, устройство, производства

Формула / Реферат:

Предложена новая конструкция подины и системы выпуска металла руднотермической электропечи для производства кристаллического кремния. Недостатком существующей плоской угольной подины является постоянный контакт с кварцевым расплавом. Это приводит к изменению геометрии подины, скапливанию расплава на подине, что отрицательно влияет на электрические параметры установки. С целью сохранения подины электропечи, стабилизации электрического режима...

Номер патента: 23615

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Щебентовский Владимир Дмитриевич, Ким Василий Анатольевич

МПК: C10B 57/00, C01B 55/00

Метки: выплавки, кремния, карбонизат, кристаллического, рексил, восстановитель

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области черной, цветной металлургии и химической промышленности, а именно к получению эффективного твердого низкозольного углеродного восстановителя из энергетических углей - карбонизата «Рексил», для выплавки кристаллического кремния и чистых сплавов методом электротермии, производства фосфора, карбида кальция, металлизации и агломерации рудного сырья.Решаемой задачей изобретения является создание эффективного твердого...

Номер инновационного патента: 23513

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Федоренко Татьяна Алексеевна, Коробова Наталья Егоровна, Пузикова Дарья Сергеевна

МПК: C25D 13/07, C25D 13/00, B05D 3/04...

Метки: основе, композиционной, оксида, способ, алюминия, получения, кремния, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам получения оксидных пленок, которые могут использоваться как электроизоляционные, температуро- и химически стойкие материалы.Достигаемый технический результат - повышение электроизоляционных свойств оксидных пленок.Предлагаемый способ получения композиционной пленки на основе оксида алюминия и оксида кремния, в котором электрофорезом наносят на металлическую подложку алкоголятный...

Номер инновационного патента: 23501

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Ким Василий Анатольевич, Жарменов Абдурасул Алдашевич, Кударинов Сагинтай Хинаятович, Толымбеков Манат Жаксыбергенович, Ким Сергей Васильевич

МПК: C22B 4/00, C22B 4/06

Метки: выплавки, кремния, способ, кристаллического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к металлургии ферросплавов, конкретно к вы­плавке кристаллического кремния методом электротермии.Решаемой задачей изобретения является выплавка кристаллического кремния с использованием в качестве твердого восстановителя карбонизата -продукта пиролиза низкозольного угля Шубаркольского разреза (зольностью 2-4%) для полной или частичной замены нефтяного кокса, древесного угля, а также низкозольного Шубаркольского угля для...

Номер инновационного патента: 23446

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Токмолдин Серикбол Жарылгапович, Рябикин Юрий Алексеевич, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: C01B 33/021, H01M 4/02, C01B 33/02...

Метки: кремния, тонких, получения, способ, пластин

Формула / Реферат:

Способ получения тонких пластин кремния путем электрохимического отделения от исходного образца позволяет получать простым экономичным электрохимическим методом тонкие пластины кремния, что может быть использовано для формирования различных приборов и приборных структур, в том числе, структур кремний на изоляторе, КНИ, с высокими структурными и электрическими параметрами.Способ получения тонких пластин кремния путем отделения от исходного...

Номер инновационного патента: 23004

Опубликовано: 15.10.2010

Авторы: Борбат Владимир Федорович, Дмитриев Леонид Николаевич, Чариков Эдуард Олегович, Адеева Людмила Никифоровна, Герасименко Анатолий Анатольевич, Баюра Александр Константинович

МПК: C01B 33/00

Метки: сырья, способ, кремнийсодержащего, техногенного, получения, диоксида, кремния, гидрохимического, высокодисперсного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения высокодисперсного диоксида кремния из техногенного кремнийсодержащего сырья.Задача изобретения заключается в разработке способа получения ценного продукта - высокодисперсного диоксида кремния - с использованием вторичных сырьевых ресурсов, а именно золы Экибастузской ГРЭС.Технический результат заключается в разработке экологичного и более безопасного способа получения высокодисперсного диоксида...

Номер инновационного патента: 22831

Опубликовано: 16.08.2010

Авторы: Рябикин Юрий Алексеевич, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Токмолдин Серикбол Жарылгапович

МПК: H01M 4/02

Метки: кремния, слоев, получения, пористого, скрытых, способ

Формула / Реферат:

Способ получения скрытых слоев пористого кремния позволяет получать поверхность кремния не нарушенной, что может быть использовано для формирования на пористом кремнии различных приборов и приборных структур с высокими электрическими параметрами омических и барьерных контактов.Способ получения скрытых слоев пористого кремния основан на особенностях сочетания режимов электрополировки, образования и накопления электролитического водорода, и ...

Номер инновационного патента: 22590

Опубликовано: 15.06.2010

Авторы: Мукашев Булат Ныгметулы, Бекетов Борис Анатольевич, Тамендаров Марат Фатыхович, Турмагамбетов Тлеужан Сабиржанович, Чумиков Геннадий Николаевич, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич

МПК: C01B 33/023

Метки: получения, способ, кремния

Формула / Реферат:

Способ получения кремния для полупроводниковой техники и солнечной энергетики. Процесс производства кремния включает получение кремния восстановлением из кварцитов методом алюминотермии в расплавленном шлаке с последующей обработкой, включающей дробление, рассев и кислотную очистку. Сущность изобретения заключается в том, что вместо шлака в виде силикатов щёлочноземельных металлов применяют шлак из оксидов и фторидов щёлочноземельных металлов,...

Номер инновационного патента: 22588

Опубликовано: 15.06.2010

Авторы: Мукасьян Александр Сергеевич, Вонгай Игорь Михайлович, Ермекова Жанна Сериковна, Мансуров Зулхаир Аймухаметович, Абдулкаримова Роза Габдуловна

МПК: C01B 33/02, C01B 33/023

Метки: технического, способ, кремния, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения кремния восстановлени­ем диоксида кремния, а именно, к способам получения технического крем­ния, который используется для переработки в полупроводниковый кремний высокой чистоты, а также для получения кремнийорганических соединений.Способ получения технического кремния включает смешивание стехиометрических количеств порошкообразных диоксида кремния и магния, засыпку слоем углерода дисперсностью 70 - 120...

Номер патента: 17808

Опубликовано: 15.03.2010

Авторы: Кумар, Прабхат, МАЛИН, Ричард

МПК: H01G 9/052, B22F 5/12

Метки: получаемая, этим, добавкой, проволоки, изготовления, проводниковая, конденсаторного, сорта, тугоплавкого, способ, проволока, проводниковой, способом, металла, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу изготовления проводниковой проволоки конденсаторного сорта из тугоплавкого металла с добавкой кремния, включающему:(а) формирование порошка тугоплавкого металла с низким содержанием кислорода,(б) смешивание порошка тугоплавкого металла с низким содержанием кислорода с добавкой - порошком кремния и уплотнение порошка изостатической холодной штамповкой в заготовку,(в) термомеханическую обработку заготовки в...

Номер инновационного патента: 21866

Опубликовано: 16.11.2009

Автор: Тныштыкбаев Курмангали Байназарович

МПК: C01B 33/00, C22B 9/04, C22B 9/05...

Метки: способ, рафинирования, печного, высокотемпературного, технического, кремния

Формула / Реферат:

Способ высокотемпературного печного рафинирования технического кремния относится к области цветной металлургии.Предложенный способ высокотемпературного печного рафинирования кремния от трудно-удаляемых примесей бора, фосфора, алюминия и др. элементов позволяет проводить в едином технологическом цикле карботермическое восстановление - печное рафинирование и снизить энергозатраты на получение чистого и высокочистого материала.Способ...

Номер инновационного патента: 21791

Опубликовано: 15.10.2009

Автор: Тныштыкбаев Курмангали Байназарович

МПК: C01B 33/02

Метки: увртк, установка, кремния, рафинирования, технического, высокотемпературного

Формула / Реферат:

Установка высокотемпературного рафи-нирования технического кремния УВРТК, может быть использована в цветной металлургии и в металлургии чистых, высокочистых и тугоплавких материалов.Предложенная установка позволяет проводить высокотемпературный процесс рафинирования технического кремния от трудноудаляемых примесей бора, фосфора, алюминия и др. элементов.УВРТК создана путем комбинирования высокотемпературной электродуговой плавильной печи с...

Номер инновационного патента: 21224

Опубликовано: 15.05.2009

Авторы: ТЕН Роберт Константинович, КИМ Леонид Алексеевич

МПК: C30B 29/06, C01B 33/023, C01B 33/025...

Метки: устройство, способ, кремния, сырья, способа, осуществления, рудного, получения, монокристаллического

Формула / Реферат:

Предлагаемый способ и устройство относятся к технологии получения монокристаллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния.Задачей предлагаемого технического решения является создание способа получения моно-кристалллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния и...

Номер инновационного патента: 21142

Опубликовано: 15.04.2009

Автор: Грищенко Валентина Федоровна

МПК: G06F 11/30, G05B 23/00

Метки: кремния, элементной, условиях, регистрации, способ, основе, космического, базы, сбоев, пространства

Формула / Реферат:

Изобретение относится к космическим летательным аппаратам, а именно к полупроводниковой электронике космических аппаратов и может быть использовано для регистрации сбоев модулей памяти в условиях космического пространства. Одновременная регистрация сбоев модулей памяти и электрофизических характеристик кремния в космических условиях с помощью микро-процессорной системы, запись информации о сбоях и электрофизических характеристик кремния с...

Номер инновационного патента: 20679

Опубликовано: 15.01.2009

Авторы: Мукашев Фарид Аташевич, Айтмамбетов Рахмет Мектепбаевич

МПК: C01B 33/04

Метки: кремния, получения, пленок, проводимости, аморфного, гидрогенизированного, способ, n-типа, легированных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам синтеза кремневодородов (силана и его производных), которые используются для выращивания полупроводникового кремния, пленок аморфного гидрогенизированного кремния в полупроводниковой промышленности, а также в качестве исходного сырья в производстве кремний-органических соединений.Предлагаемый способ, включающий использование взаимодействия силицида магния с водным раствором четырехнормальной соляной кислоты, за...

Номер предварительного патента: 20617

Опубликовано: 15.01.2009

Авторы: Ким Сергей Васильевич, Байсанов Сайлаубай Омарович, Толымбеков Манат Жаксыбергенович, Жарменов Абдурасул Алдашевич, Чекимбаев Аскар Фарзантович, Ким Василий Анатольевич

МПК: C01B 33/025

Метки: кремния, выплавки, способ, кристаллического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к металлургии ферросплавов, конкретно к выплавке кристаллического кремния.Решаемой задачей изобретения является получение кристаллического кремния с использованием спецкокса и газового угля и повышение извлечения кремния.Задача решается совместным проплавлением в руднотермической печи кварца, спецкокса и газового угля.Достигаемый при этом технический результат - повышение степени извлечения кремния до...

Номер предварительного патента: 19173

Опубликовано: 14.03.2008

Авторы: Сулейменов Жумабек Элсович, Ким Василий Анатольевич

МПК: C10L 5/28

Метки: кремния, кристаллического, способ, выплавки, углеродистого, получения, восстановителя

Формула / Реферат:

Изобретение относится к химической технологии топлива, к получе­нию формованного кокса из неспекающихся углей для металлургии ферро­сплавов, конкретно для выплавки кристаллического кремния методом карботермии.Решаемой задачей изобретения является получение кускового углеро­дистого восстановителя для выплавки кристаллического кремния с низким содержанием вредных примесных элементов, обеспечивающего увеличение степени извлечения кремния и его...

Номер предварительного патента: 18698

Опубликовано: 15.08.2007

Автор: Жантасов Манап Курманбекович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: получения, кремния, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения кремния, который может быть использован в электронной промышленности.Задача изобретения - повышение выхода готового продукта - кремния.Техническим результатом предлагаемого способа является получение кремния с чистотой 99,5 % Si.Технический результат достигается тем, что в предлагаемом способе получения кремния в качестве сырьевой смеси используют белую сажу и шлам производства карбида кремния,...

Номер предварительного патента: 18449

Опубликовано: 15.05.2007

Авторы: Туякбаев Даулет Алтаевич, Ажибекова Алия Сапарбековна, Бияров Телеухан Нуралдаевич, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/027

Метки: кремния, способ, поликристаллического, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области химической технологии, а именно, к способам получения поликристаллического кремния.Задачей изобретения является разработка способа получения поликристаллического кремния.Способ включает процесс синтеза трихлорсилана из технического кремния в реакторе, путем взаимодействия его с сухим хлористым водородом, последующей очистки парогазовой смеси, водородного восстановления при одновременном осаждении выделяющегося...

Номер предварительного патента: 17978

Опубликовано: 15.11.2006

Автор: Бишимбаев Валихан Козыкеевич

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: кремния, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к металлургии, а именно к металлургическим способам получения кремния, который может быть использован при дальнейшей переработке в качестве материала при изготовлении солнечных элементов.Получение кремния осуществляется восстановительной электроплавкой с предварительной шихтовкой исходных материалов кремнеземсодержащего сырья и восстановителя в присутствии жидкого стекла. Процесс электроплавки осуществляют первоначально в...

Номер предварительного патента: 17865

Опубликовано: 16.10.2006

Авторы: Тамендаров Марат Фатыхович, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич, Бекетов Борис Анатольевич, Мукашев Булат Нигматович, Бектурганов Нуралы Султанович, Кулекеев Жаксыбек Абдрахметович

МПК: C01B 33/023, C01B 33/021, C01B 33/02...

Метки: чистого, способ, получения, кремния

Формула / Реферат:

Способ получения чистого кремния алюминотермическим восстановлением диоксида кремния в кремнийсодержащих фосфорных шлаках для фотоэлектронной промышленности, в т. ч. для изготовления солнечных батарей.Фосфорный шлак загружают в графитовый тигель, доводят до плавления индукционным нагревом при эвтектической температуре, после чего добавляют алюминий. Кремний, образующийся в результате окислительно-восстановительных реакций, отделяется от шлака и...

Номер предварительного патента: 16638

Опубликовано: 15.12.2005

Авторы: Протопопов Анатолий Всеволодович, Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Сулейменов Эркенбек Аятаевич

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: получения, кремния, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к плазменному способу производства кремния для солнечныхэлементов, и позволяет повысить качество продукта, увеличить степень извлечениякремния. В шахту печи загружают кусковой кварцит, в качестве восстанавливающегоагента и плазмообразующего газа используют обезвоженный эндогаз, а внутреннюю поверхностьпечи покрывают наплавленным кварцитом. Для сохранения кварцевого покрытия в плазменнойзоне печи стенки охлаждаются.

Номер предварительного патента: 16400

Опубликовано: 15.11.2005

Авторы: Шалабаев Жарилкасин Аймагамбетович, Туякбаев Данияр Алтайевич, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: поликристаллического, получения, кремния, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области химическойтехнологии, а именно к способам получения поликристаллического кремния.Способ включает процесс синтеза тетрахлоридакремния и трихлорсилана из технического кремнияпутем взаимодействия его с сухим хлористым водородом при нагревании, последующей очистке парогазовой смеси и водородном восстановлении с помощью водорода, получаемого из чистого водногораствора с рН=7,5-8,5, при одновременном осаждении...

Номер предварительного патента: 16101

Опубликовано: 15.08.2005

Авторы: Байсанов Сайлаубай Омарович, Бектурганов Нуралы Султанович, Ким Василий Анатольевич, Ким Сергей Васильевич, Толымбеков Манат Жаксыбергенович, Чекимбаев Аскар Фарзантович, Кулекеев Жаксыбек Абдрахметович, Жакибеков Тыштыкбай Бейсембаевич, Жарменов Абдурасул Алдашевич

МПК: C22B 4/06, C22B 4/00

Метки: способ, кристаллического, кремния, выплавки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к металлургии ферросплавов, конкретно к выплавке кристаллическогокремния.Достигаемый технический результат - повышение степени извлечения кремния до 80,3 %.Задача решается совместным проплавлением вруднотермической печи кварца и углеродистоговосстановителя, при этом в качестве восстановителяиспользуют низкозольный кокс и газовый уголь(зольностью соответственно 2,4-2,8 % и 1,2 % в соотношении...

Номер предварительного патента: 15495

Опубликовано: 15.03.2005

Автор: Мансуров Зулхаир Аймухаметович

МПК: B01J 20/16, B01J 20/10

Метки: диоксида, сорбента, основе, способ, получения, кремния

Формула / Реферат:

пористого сорбента, а также носителя катализаторовв результате активации и модификации диоксидакремния.Способ получения сорбента на основе диоксидакремния включает его смешение в мельницеактиваторе с оксидом цинка и/или хлоридом натрияи активирующей добавкой - либо спиртами, либомономерами, либо полимерами с последующимформованием в виде гранул - в присутствии жидкого стекла с отвердителем - кремнефтористым натрием.Техническим результатом...

Номер предварительного патента: 12181

Опубликовано: 15.11.2002

Авторы: Нельмут Енгель, Бекетов Борис Анатольевич, Турсунов Куанычбек

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: способ, повышенной, порошка, получения, кремния, чистоты

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу производства кремния повышенной чистоты и позволяет использовать его для изготовления солнечных элементов.Способ получения порошка кремния включает карботермическое восстановление кварцитов и обработку водным раствором неорганических кислот, при этом во время процесса восстановления проводят рафинацию кремния смесью SiО2:CaF2 при соотношении, равном 1:1 и в количестве 5-10 % от загрузки восстановителя, в...

Номер предварительного патента: 11623

Опубликовано: 14.06.2002

Авторы: Жирков Александр Борисович, Жандаев Нурлан Мукатаевич

МПК: C01B 33/04

Метки: кремния, способ, соединения, ca2al4si3, силана, трехсоставного, биметаллического, применение, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области полупроводниковой техники.Способ получения силана (SiH4), применяемого в полупроводниковой промышленности, включает в себя получение трехсоставного биметаллического соединения кремния Са2Аl4Si3 путем алюминотермического восстановления природных и техногенных окислов SiO2 и СаО или их соединений, при соотношении алюминий окислы, равном 1/2-5. Способ получения силана путем разложения òðåõñîñòàâ­íîãî áèìåòàëëè÷åñêîãî...

Номер предварительного патента: 11188

Опубликовано: 15.02.2002

Авторы: Поздняков Алексей Владимирович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Альтай Альшерович, Туякбаев Данияр Алтаевич, Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: кремния, поликристаллического, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты.Тетрахлорид кремния в предлагаемом способе получают, воздействуя хлором на кварцевое сырье, например, кварцевый песок при температуре 900-1300 °С. Полученный продукт очищают ректификацией, и ректификат подают в реактор для восстановления водородом. При этом восстановленный кремний оседает на нагреваемых кремниевых...

Номер предварительного патента: 8522

Опубликовано: 15.02.2000

Автор: Протопопов Анатолий Всеволодович

МПК: C01B 33/023

Метки: производства, способ, кремния, технического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к цветной металлургии, а именно к производству технического кремния.Для повышения качества получаемого кремния, а также степени извлечения кремния из шихты кварцевое сырье измельчают, плакируют углеродосодержащим восстановителем, фракция которого мельче фракции кварцевого сырья в 4 раза. Плакирование осуществляют с помощью жидкого связующего и обеспечивают соотношение углерода восстановителя к кремнезему в шихте 0,25-0,55.В...