Способ получения поликристаллического кремния

Номер предварительного патента: 11188

Опубликовано: 15.02.2002

Авторы: Таурбаев Токтар Искатаевич, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Альтай Альшерович, Туякбаев Данияр Алтаевич, Поздняков Алексей Владимирович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: поликристаллического, получения, способ, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты.Тетрахлорид кремния в предлагаемом способе получают, воздействуя хлором на кварцевое сырье, например, кварцевый песок при температуре 900-1300 °С. Полученный продукт очищают ректификацией, и ректификат подают в реактор для восстановления водородом. При этом восстановленный кремний оседает на нагреваемых кремниевых...

Номер предварительного патента: 3190

Опубликовано: 15.03.1996

Авторы: Галиев Темир Тлекович, Хабиев Мухит Ауесханович, Балабеков Оразалы Сатимбекович, Агафонов Александр Анатольевич, Чупиков Виктор Александрович

МПК: C01B 33/021

Метки: кремния, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения кремния, используемого в различных отраслях народного хозяйства, в частности в химической промышленности, в электронной технике в качестве полупроводников, в солнечных батареях.Цель изобретения - упрощение процесса получения кремния и снижение его энергоемкости при сохранении качества целевого продукта. Указанная цель достигается тем, что согласно предлагаемому способу получения кремния, путем...

Номер предварительного патента: 4226

Опубликовано: 14.03.1997

Авторы: Наурызбаев Михаил Касымович, Колесников Борис Яковлевич, Рябичев Александр Григорьевич, Мукашев Фарид Аташевич

МПК: C01B 33/023

Метки: кремния, технического, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения кремния восстановлением диоксида кремния, а именно, к способам получения технического кремния, который используется для переработки в полупроводниковый кремний высокой чистоты, а также для получения кремнийорганических соединений.Способ заключается в смешивании стехиометрических количеств порошкообразных диоксида кремния и магния, предварительном прессовании смеси, последующем нагреве до 200-500°С и...

Номер предварительного патента: 12181

Опубликовано: 15.11.2002

Авторы: Турсунов Куанычбек, Нельмут Енгель, Бекетов Борис Анатольевич

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: кремния, способ, чистоты, порошка, получения, повышенной

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу производства кремния повышенной чистоты и позволяет использовать его для изготовления солнечных элементов.Способ получения порошка кремния включает карботермическое восстановление кварцитов и обработку водным раствором неорганических кислот, при этом во время процесса восстановления проводят рафинацию кремния смесью SiО2:CaF2 при соотношении, равном 1:1 и в количестве 5-10 % от загрузки восстановителя, в...

Номер предварительного патента: 15495

Опубликовано: 15.03.2005

Автор: Мансуров Зулхаир Аймухаметович

МПК: B01J 20/10, B01J 20/16

Метки: способ, диоксида, кремния, сорбента, основе, получения

Формула / Реферат:

пористого сорбента, а также носителя катализаторовв результате активации и модификации диоксидакремния.Способ получения сорбента на основе диоксидакремния включает его смешение в мельницеактиваторе с оксидом цинка и/или хлоридом натрияи активирующей добавкой - либо спиртами, либомономерами, либо полимерами с последующимформованием в виде гранул - в присутствии жидкого стекла с отвердителем - кремнефтористым натрием.Техническим результатом...