Бекетов Борис Анатольевич

Номер инновационного патента: 22590

Опубликовано: 15.06.2010

Авторы: Мукашев Булат Ныгметулы, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич, Бекетов Борис Анатольевич, Чумиков Геннадий Николаевич, Тамендаров Марат Фатыхович, Турмагамбетов Тлеужан Сабиржанович

МПК: C01B 33/023

Метки: получения, кремния, способ

Формула / Реферат:

Способ получения кремния для полупроводниковой техники и солнечной энергетики. Процесс производства кремния включает получение кремния восстановлением из кварцитов методом алюминотермии в расплавленном шлаке с последующей обработкой, включающей дробление, рассев и кислотную очистку. Сущность изобретения заключается в том, что вместо шлака в виде силикатов щёлочноземельных металлов применяют шлак из оксидов и фторидов щёлочноземельных металлов,...

Номер предварительного патента: 17865

Опубликовано: 16.10.2006

Авторы: Бекетов Борис Анатольевич, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич, Мукашев Булат Нигматович, Кулекеев Жаксыбек Абдрахметович, Бектурганов Нуралы Султанович, Тамендаров Марат Фатыхович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/023, C01B 33/02...

Метки: чистого, получения, способ, кремния

Формула / Реферат:

Способ получения чистого кремния алюминотермическим восстановлением диоксида кремния в кремнийсодержащих фосфорных шлаках для фотоэлектронной промышленности, в т. ч. для изготовления солнечных батарей.Фосфорный шлак загружают в графитовый тигель, доводят до плавления индукционным нагревом при эвтектической температуре, после чего добавляют алюминий. Кремний, образующийся в результате окислительно-восстановительных реакций, отделяется от шлака и...

Номер предварительного патента: 17866

Опубликовано: 16.10.2006

Авторы: Мукашев Булат Нигматович, Бектурганов Нуралы Султанович, Бекетов Борис Анатольевич, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич, Тамендаров Марат Фатыхович, Кулекеев Жаксыбек Абдрахметович

МПК: C01B 33/04

Метки: получения, способ, силана

Формула / Реферат:

Способ получения силана для формирования тонкопленочных полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии, а также производства поли- и монокристаллического кремния различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика). Процесс производства силана включает получение сплава методом алюминотермического восстановления кремнезема в кремнийсодержащих отходах металлургического производства, и затем взаимодействие вышеуказанного...

Номер предварительного патента: 12181

Опубликовано: 15.11.2002

Авторы: Турсунов Куанычбек, Бекетов Борис Анатольевич, Нельмут Енгель

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: порошка, кремния, способ, чистоты, получения, повышенной

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу производства кремния повышенной чистоты и позволяет использовать его для изготовления солнечных элементов.Способ получения порошка кремния включает карботермическое восстановление кварцитов и обработку водным раствором неорганических кислот, при этом во время процесса восстановления проводят рафинацию кремния смесью SiО2:CaF2 при соотношении, равном 1:1 и в количестве 5-10 % от загрузки восстановителя, в...

Номер предварительного патента: 8628

Опубликовано: 15.03.2000

Авторы: Бекетов Борис Анатольевич, Тамендаров Марат Фаттыхович, Чокин Канат Шафикович, Мукашев Булат Нигматович

МПК: C01B 25/02

Метки: способ, переработки, шлама, фосфорного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам утилизации отходов фосфорного производства - шламов.Способ включает процесс обработки фосфорного шлама каустической содой в присутствии смеси карбоната натрия и порошкообразного кремния, взятых в количестве 0,05-0,09 % и 0,01-0,09 % соответственно от массы шлама, при рН водной суспензии 7,5-8,0. Процесс ведут в замкнутой системе под давлением, обусловленным выделением газов. Отделение фосфора осуществляют путем...

Номер предварительного патента: 4627

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Бекетов Борис Анатольевич, Тамендаров Марат Фатыхович, Мукашев Булат Нигматович, Гибадуллин Владимир Шарипович, Сарсембинов Шамши Шарипович

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния, получения, способ

Формула / Реферат:

Способ получения кремния из отходов фосфорного производства методом алюминотермического восстановления фосфорных шлаков при температуре 1200-1300°С в присутствии добавки, включающей смешение фосфорных шлаков с алюминием в массовом соотношении, равном 1: 0,3-0,5. В расплав шлака перед смешением с алюминием вводят карбонат магния в количестве 5-20 мас. % от массы алюминия, а в качестве добавки во время протекания окислительно-восстановительной...

Номер предварительного патента: 4628

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Бекетов Борис Анатольевич, Гибадуллин Владимир Шарипович, Тамендаров Марат Фаттыхович, Мукашев Булат Нигматович, Сарсембинов Шамши Шарипович

МПК: C01B 33/04

Метки: получения, способ, силана

Формула / Реферат:

Способ получения силана, применяемого в полупроводниковой промышленности, взаимодействием кремниевого сплава, полученного из шлаков фосфорного производства, с солью аммония, например NН4С1. Процесс ведут при температуре 210-230°C , а сплав кремния, полученный в результате алюмотермического восстановления, имеет следующий состав в мас.%: Si - 50-70; Мg - 15-25; Са - 5-10; А1 - 5-10; Nа - 0,5-1; Р - 0,4-0,9; F - 0,3-0,8; остальное - сопутствующие...

Номер предварительного патента: 4766

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Бекетов Борис Анатольевич, Томилин Игорь Анатольевич, Тихонов Евгений Петрович, Протопопов Анатолий Всеволодович

МПК: F41H 3/02

Метки: диапазоне, поглощения, сверхвысокочастотном, материал, излучений, защиты

Формула / Реферат:

Изобретение относится к материалам для защиты от излучения в сверхвысокочастотном диапазоне обслуживающего персонала радиолокационной службы, а также для скрытия (маскировки) объектов от радиолокационных систем слежения.Материал для поглощения и защиты от излучения в сверхвысокочастотном диапазоне представляет собой композицию из поглотителя - карбида кремния и связующего - жидкое стекло при соотношении, мас.%:карбид кремния - 80 - 93жидкое...

Номер предварительного патента: 4767

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Томилин Игорь Анатольевич, Ансаганова Гульнара Жуманбековна, Бекетов Борис Анатольевич

МПК: F41H 3/02

Метки: излучения, защиты, частот, сверхвысоких, поглощения, материал, диапазоне

Формула / Реферат:

Изобретение относится к материалам для защиты от излучения в диапазоне сверхвысоких частот обслуживающего персонала, а также для скрытия объектов от радиолокационных систем слежения.Материал для поглощения и защиты от излучения в диапазоне сверхвысоких частот содержит смесь карбида кремния и углерода при их массовом соотношении SiC:С=1:2, а в качестве связующего жидкое стекло при соотношении ингредиентов в мас.%:смесь карбид кремния - углеродв...