C01B 33/021 — получение

Номер инновационного патента: 23446

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Токмолдин Серикбол Жарылгапович, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Рябикин Юрий Алексеевич

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02, H01M 4/02...

Метки: получения, тонких, способ, пластин, кремния

Формула / Реферат:

Способ получения тонких пластин кремния путем электрохимического отделения от исходного образца позволяет получать простым экономичным электрохимическим методом тонкие пластины кремния, что может быть использовано для формирования различных приборов и приборных структур, в том числе, структур кремний на изоляторе, КНИ, с высокими структурными и электрическими параметрами.Способ получения тонких пластин кремния путем отделения от исходного...

Номер предварительного патента: 18698

Опубликовано: 15.08.2007

Автор: Жантасов Манап Курманбекович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: способ, кремния, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения кремния, который может быть использован в электронной промышленности.Задача изобретения - повышение выхода готового продукта - кремния.Техническим результатом предлагаемого способа является получение кремния с чистотой 99,5 % Si.Технический результат достигается тем, что в предлагаемом способе получения кремния в качестве сырьевой смеси используют белую сажу и шлам производства карбида кремния,...

Номер предварительного патента: 17978

Опубликовано: 15.11.2006

Автор: Бишимбаев Валихан Козыкеевич

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: кремния, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к металлургии, а именно к металлургическим способам получения кремния, который может быть использован при дальнейшей переработке в качестве материала при изготовлении солнечных элементов.Получение кремния осуществляется восстановительной электроплавкой с предварительной шихтовкой исходных материалов кремнеземсодержащего сырья и восстановителя в присутствии жидкого стекла. Процесс электроплавки осуществляют первоначально в...

Номер предварительного патента: 17865

Опубликовано: 16.10.2006

Авторы: Кулекеев Жаксыбек Абдрахметович, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич, Тамендаров Марат Фатыхович, Мукашев Булат Нигматович, Бектурганов Нуралы Султанович, Бекетов Борис Анатольевич

МПК: C01B 33/02, C01B 33/023, C01B 33/021...

Метки: кремния, чистого, способ, получения

Формула / Реферат:

Способ получения чистого кремния алюминотермическим восстановлением диоксида кремния в кремнийсодержащих фосфорных шлаках для фотоэлектронной промышленности, в т. ч. для изготовления солнечных батарей.Фосфорный шлак загружают в графитовый тигель, доводят до плавления индукционным нагревом при эвтектической температуре, после чего добавляют алюминий. Кремний, образующийся в результате окислительно-восстановительных реакций, отделяется от шлака и...

Номер предварительного патента: 16638

Опубликовано: 15.12.2005

Авторы: Сулейменов Эркенбек Аятаевич, Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Протопопов Анатолий Всеволодович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: получения, способ, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к плазменному способу производства кремния для солнечныхэлементов, и позволяет повысить качество продукта, увеличить степень извлечениякремния. В шахту печи загружают кусковой кварцит, в качестве восстанавливающегоагента и плазмообразующего газа используют обезвоженный эндогаз, а внутреннюю поверхностьпечи покрывают наплавленным кварцитом. Для сохранения кварцевого покрытия в плазменнойзоне печи стенки охлаждаются.

Номер предварительного патента: 16400

Опубликовано: 15.11.2005

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Шалабаев Жарилкасин Аймагамбетович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Данияр Алтайевич

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: получения, способ, кремния, поликристаллического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области химическойтехнологии, а именно к способам получения поликристаллического кремния.Способ включает процесс синтеза тетрахлоридакремния и трихлорсилана из технического кремнияпутем взаимодействия его с сухим хлористым водородом при нагревании, последующей очистке парогазовой смеси и водородном восстановлении с помощью водорода, получаемого из чистого водногораствора с рН=7,5-8,5, при одновременном осаждении...

Номер предварительного патента: 12181

Опубликовано: 15.11.2002

Авторы: Нельмут Енгель, Бекетов Борис Анатольевич, Турсунов Куанычбек

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: кремния, порошка, способ, повышенной, получения, чистоты

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу производства кремния повышенной чистоты и позволяет использовать его для изготовления солнечных элементов.Способ получения порошка кремния включает карботермическое восстановление кварцитов и обработку водным раствором неорганических кислот, при этом во время процесса восстановления проводят рафинацию кремния смесью SiО2:CaF2 при соотношении, равном 1:1 и в количестве 5-10 % от загрузки восстановителя, в...

Номер предварительного патента: 11188

Опубликовано: 15.02.2002

Авторы: Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Данияр Алтаевич, Поздняков Алексей Владимирович, Туякбаев Альтай Альшерович, Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: кремния, способ, получения, поликристаллического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты.Тетрахлорид кремния в предлагаемом способе получают, воздействуя хлором на кварцевое сырье, например, кварцевый песок при температуре 900-1300 °С. Полученный продукт очищают ректификацией, и ректификат подают в реактор для восстановления водородом. При этом восстановленный кремний оседает на нагреваемых кремниевых...

Номер предварительного патента: 3190

Опубликовано: 15.03.1996

Авторы: Хабиев Мухит Ауесханович, Галиев Темир Тлекович, Балабеков Оразалы Сатимбекович, Агафонов Александр Анатольевич, Чупиков Виктор Александрович

МПК: C01B 33/021

Метки: получения, кремния, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения кремния, используемого в различных отраслях народного хозяйства, в частности в химической промышленности, в электронной технике в качестве полупроводников, в солнечных батареях.Цель изобретения - упрощение процесса получения кремния и снижение его энергоемкости при сохранении качества целевого продукта. Указанная цель достигается тем, что согласно предлагаемому способу получения кремния, путем...