Способ получения порошка кремния повышенной чистоты
Номер предварительного патента: 12181
Опубликовано: 15.11.2002
Авторы: Нельмут Енгель, Турсунов Куанычбек, Бекетов Борис Анатольевич
Формула / Реферат
Изобретение относится к способу производства кремния повышенной чистоты и позволяет использовать его для изготовления солнечных элементов.
Способ получения порошка кремния включает карботермическое восстановление кварцитов и обработку водным раствором неорганических кислот, при этом во время процесса восстановления проводят рафинацию кремния смесью SiО2:CaF2 при соотношении, равном 1:1 и в количестве 5-10 % от загрузки восстановителя, в качестве восстановителя используют алюминий, а в качестве шихты - материалы. содержащие в основе SiO2 и СаО при их массовом соотношении 1:4-5.
Способ позволяет повысить степень чистоты кремния в период его восстановления и химической обработки.
МПК / Метки
МПК: C01B 33/021, C01B 33/02
Метки: способ, порошка, кремния, получения, повышенной, чистоты
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-pp12181-sposob-polucheniya-poroshka-kremniya-povyshennojj-chistoty.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ получения порошка кремния повышенной чистоты</a>
Предыдущий патент: Питатель вибрационный
Следующий патент: Шихта для производства периклазошпинельных огнеупоров
Случайный патент: Каркас для укрытия растений Татамбаева С.А.