Способ получения поликристаллического кремния
Номер предварительного патента: 11188
Опубликовано: 15.02.2002
Авторы: Поздняков Алексей Владимирович, Туякбаев Альтай Альшерович, Туякбаев Данияр Алтаевич, Алдамжаров Казбек Бахитович, Таурбаев Токтар Искатаевич
Формула / Реферат
Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты.
Тетрахлорид кремния в предлагаемом способе получают, воздействуя хлором на кварцевое сырье, например, кварцевый песок при температуре 900-1300 °С. Полученный продукт очищают ректификацией, и ректификат подают в реактор для восстановления водородом. При этом восстановленный кремний оседает на нагреваемых кремниевых стержнях.
Преимущество способа заключается в том, что синтез тетрахлорида кремния осуществляют непосредственно из кремнеземсодержащих материалов путем их хлорирования, минуя энергоемкую стадию производства технического кремния.
МПК / Метки
МПК: C01B 33/02, C01B 33/021
Метки: способ, кремния, поликристаллического, получения
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-pp11188-sposob-polucheniya-polikristallicheskogo-kremniya.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ получения поликристаллического кремния</a>
Предыдущий патент: Генератор озона “Аянозон-2″
Следующий патент: Шихта для изготовления кислотоупоров
Случайный патент: Способ моделирования урогенитальной микоплазменной инфекции