Токмолдин Серикбол Жарылгапович

Номер инновационного патента: 23592

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Токмолдин Серикбол Жарылгапович, Рябикин Юрий Алексеевич

МПК: H01M 4/02

Метки: кремниевых, тонких, способ, элементов, создания, солнечных

Формула / Реферат:

Способ создания тонких кремниевых солнечных элементов относится к солнечной энергетике и к областям нанотехнологии, микро - и наноэлектроники, и может быть использовано в приборостроении.Предлагаемый способ создания тонких кремниевых солнечных элементов позволяет использовать стандартную технологию изготовления солнечных элементов на коммерческих монокристаллических кремниевых пластинах без использования сложных технологий получения тонких...

Номер инновационного патента: 23446

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Рябикин Юрий Алексеевич, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Токмолдин Серикбол Жарылгапович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02, H01M 4/02...

Метки: тонких, кремния, пластин, способ, получения

Формула / Реферат:

Способ получения тонких пластин кремния путем электрохимического отделения от исходного образца позволяет получать простым экономичным электрохимическим методом тонкие пластины кремния, что может быть использовано для формирования различных приборов и приборных структур, в том числе, структур кремний на изоляторе, КНИ, с высокими структурными и электрическими параметрами.Способ получения тонких пластин кремния путем отделения от исходного...

Номер инновационного патента: 22831

Опубликовано: 16.08.2010

Авторы: Рябикин Юрий Алексеевич, Токмолдин Серикбол Жарылгапович, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01M 4/02

Метки: способ, кремния, слоев, получения, скрытых, пористого

Формула / Реферат:

Способ получения скрытых слоев пористого кремния позволяет получать поверхность кремния не нарушенной, что может быть использовано для формирования на пористом кремнии различных приборов и приборных структур с высокими электрическими параметрами омических и барьерных контактов.Способ получения скрытых слоев пористого кремния основан на особенностях сочетания режимов электрополировки, образования и накопления электролитического водорода, и ...

Номер инновационного патента: 20968

Опубликовано: 16.03.2009

Автор: Токмолдин Серикбол Жарылгапович

МПК: B08B 9/26

Метки: стенкой, чистой, технологическая, камера

Формула / Реферат:

Предлагаемое устройство относится к технологическому оборудованию процессов, предъявляющих повышенные требования к чистоте рабочей камеры.Предлагаемая технологическая камера с «чистой стенкой» позволяет поддерживать максимальную эффективность отвода продуктов реакции из рабочей камеры.Полученный эффект достигается благодаря введению в замкнутый объем рабочей камеры двух компонентов: «чистой стенки» и камеры очистки поверхностей «чистой...