C30B 30/04 — с использованием магнитных полей
Способ получения тонкопленочных структур на основе кремния
Номер инновационного патента: 30246
Опубликовано: 17.08.2015
Авторы: Чучвага Николай Алексеевич, Токмолдин Нурлан Серекболович, Токмолдин Серекбол Жарылгапович, Омаров Марат Ахметович, Клименов Василий Васильевич
МПК: C30B 30/04, C30B 30/02, C30B 29/06...
Метки: кремния, способ, структур, основе, тонкопленочных, получения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...