C30B 30/02 — с использованием электрических полей, например электролиза
Способ получения тонкопленочных структур на основе кремния
Номер инновационного патента: 30246
Опубликовано: 17.08.2015
Авторы: Токмолдин Серекбол Жарылгапович, Чучвага Николай Алексеевич, Токмолдин Нурлан Серекболович, Клименов Василий Васильевич, Омаров Марат Ахметович
МПК: C30B 30/04, C30B 29/06, C30B 30/02...
Метки: способ, основе, тонкопленочных, структур, кремния, получения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...