Способ получения поликристаллического кремния

Номер предварительного патента: 16400

Опубликовано: 15.11.2005

Авторы: Шалабаев Жарилкасин Аймагамбетович, Туякбаев Альтай Альшерович, Туякбаев Данияр Алтайевич, Алдамжаров Казбек Бахитович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: кремния, поликристаллического, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области химическойтехнологии, а именно к способам получения поликристаллического кремния.Способ включает процесс синтеза тетрахлоридакремния и трихлорсилана из технического кремнияпутем взаимодействия его с сухим хлористым водородом при нагревании, последующей очистке парогазовой смеси и водородном восстановлении с помощью водорода, получаемого из чистого водногораствора с рН=7,5-8,5, при одновременном осаждении...

Номер предварительного патента: 11188

Опубликовано: 15.02.2002

Авторы: Алдамжаров Казбек Бахитович, Поздняков Алексей Владимирович, Таурбаев Токтар Искатаевич, Туякбаев Данияр Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: поликристаллического, способ, кремния, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты.Тетрахлорид кремния в предлагаемом способе получают, воздействуя хлором на кварцевое сырье, например, кварцевый песок при температуре 900-1300 °С. Полученный продукт очищают ректификацией, и ректификат подают в реактор для восстановления водородом. При этом восстановленный кремний оседает на нагреваемых кремниевых...

Номер предварительного патента: 3190

Опубликовано: 15.03.1996

Авторы: Балабеков Оразалы Сатимбекович, Галиев Темир Тлекович, Агафонов Александр Анатольевич, Чупиков Виктор Александрович, Хабиев Мухит Ауесханович

МПК: C01B 33/021

Метки: получения, кремния, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения кремния, используемого в различных отраслях народного хозяйства, в частности в химической промышленности, в электронной технике в качестве полупроводников, в солнечных батареях.Цель изобретения - упрощение процесса получения кремния и снижение его энергоемкости при сохранении качества целевого продукта. Указанная цель достигается тем, что согласно предлагаемому способу получения кремния, путем...

Номер предварительного патента: 12181

Опубликовано: 15.11.2002

Авторы: Бекетов Борис Анатольевич, Турсунов Куанычбек, Нельмут Енгель

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: кремния, повышенной, порошка, способ, чистоты, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу производства кремния повышенной чистоты и позволяет использовать его для изготовления солнечных элементов.Способ получения порошка кремния включает карботермическое восстановление кварцитов и обработку водным раствором неорганических кислот, при этом во время процесса восстановления проводят рафинацию кремния смесью SiО2:CaF2 при соотношении, равном 1:1 и в количестве 5-10 % от загрузки восстановителя, в...

Номер предварительного патента: 4226

Опубликовано: 14.03.1997

Авторы: Колесников Борис Яковлевич, Наурызбаев Михаил Касымович, Мукашев Фарид Аташевич, Рябичев Александр Григорьевич

МПК: C01B 33/023

Метки: получения, способ, кремния, технического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения кремния восстановлением диоксида кремния, а именно, к способам получения технического кремния, который используется для переработки в полупроводниковый кремний высокой чистоты, а также для получения кремнийорганических соединений.Способ заключается в смешивании стехиометрических количеств порошкообразных диоксида кремния и магния, предварительном прессовании смеси, последующем нагреве до 200-500°С и...