C30B 31/20 — легирование путем облучения электромагнитными волнами или облучения частицами

Номер инновационного патента: 30108

Опубликовано: 15.07.2015

Авторы: Тулеушев Юрий Жианшахович, Володин Валерий Николаевич

МПК: C30B 31/22, C30B 31/20, H01L 39/00...

Метки: легирования, тантала, кадмием, способ

Формула / Реферат:

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ТАНТАЛА КАДМИЕМИзобретение относится к области получения специальных сплавов в виде по­крытий или самонесущих изделий и может быть использовано в металлургии, машино­строении, материаловедении и других отраслях.Способ легирования тантала кадмием включает одновременное со сдвигом в пространстве распыление металла и легирующего элемента в нанодисперсное состоя­ние и соосаждение их субслоями в виде островкового покрытия размером...

Номер инновационного патента: 28704

Опубликовано: 15.07.2014

Авторы: Тулеушев Юрий Жианшахович, Жаканбаев Елдар Асхатович, Володин Валерий Николаевич

МПК: C30B 31/22, C30B 31/20

Метки: пленке, способ, легирования, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения специальных покрытий для тонкопле­ночных фотоэлементов и может быть использовано в материаловедении и других отрас­лях.Способ легирования кремния в пленке включает одновременное со сдвигом в про­странстве распыление кремния и легирующего элемента в нанодисперсное состояние, со-осаждение их субслоями в виде островкового покрытия размером частиц кремния и/или легирующего элемента менее критического, при...

Номер патента: 15425

Опубликовано: 15.10.2007

Авторы: Володин Валерий Николаевич, Тулеушев Юрий Жианшахович, Тулеушев Адил Жианшахович

МПК: H01L 39/00, C30B 31/20, C30B 31/22...

Метки: пленках, способ, легирования, металлов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения специальных сплавов в виде покрытий или самонесущих изделий и может быть использовано в металлургии, машиностроении, материаловедении и других отраслях. Способ легирования металла в пленках включает одновременное со сдвигом в пространстве распыление металла и легирующего элемента в нанодисперсное состояние в плазме низкого давления и соосаждение их субслоями поочередным повторяющимся пересечением потоков...