H01L 21/78 — с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов

Номер патента: 1312

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/78

Метки: тонкопленочных, полупроводниковых, получения, структур, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения на кристаллы тонкопленочных полупроводниковых структур, используемых отдельно от затравочной подложки. Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа за счет совмещения операций отделения структуры и разделения ее на кристаллы. При отделении от затравочной подложки выращенной на ней тонкопленочной полупроводниковой структуры...