Патенты с меткой «арсенида»
Электрохимический способ модифицирования потенциометрического сенсора на основе полупроводникового материала из арсенида галлия
Номер инновационного патента: 31479
Опубликовано: 15.09.2016
Авторы: Сатаева Сапура Саниевна, Бурахта Вера Алексеевна
МПК: G01N 27/30
Метки: основе, арсенида, сенсора, полупроводникового, потенциометрического, галлия, модифицирования, электрохимический, способ, материала
Формула / Реферат:
Изобретение относится к аналитической измерительной технике. Модифицированный GaAs-электрод можно использовать для определения действующих веществ в циан- и йодсодержащих пестицидах; хлоридов в природных водах и почвенных вытяжках методом потенциометрического титрования.Целью изобретения является модифицирование поверхности электрода на основе арсенида галлия электрохимическим способом для придания более устойчивой электродной функции к катионам...
Способ получения свободно расположенной монокристаллической пленки арсенида или фосфида галлия-алюминия
Номер инновационного патента: 30019
Опубликовано: 15.06.2015
Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович
МПК: H01L 21/208
Метки: свободно, арсенида, фосфида, пленки, монокристаллической, способ, галлия-алюминия, получения, расположенной
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...
Способ формирования монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия
Номер инновационного патента: 21040
Опубликовано: 16.03.2009
Автор: Францев Юрий Валерьевич
МПК: H01L 21/208
Метки: арсенида, фосфида, формирования, монокристаллической, галлия-алюминия, способ, мембраны
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений А3 В5 и может быть использовано для создания монокристаллических мембран и тонкопленочных полупроводниковых приборов с квантовыми ямами, в частности гетеролазеров.Достигаемый технический результат - сохранение целостности монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия при удалении расплава.Предлагается способ формирования...
Способ получения отделенных пленок арсенида или фосфида галлия-алюминия
Номер патента: 1311
Опубликовано: 15.09.1994
Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич
МПК: H01L 21/208
Метки: галлия-алюминия, фосфида, способ, получения, отделенных, арсенида, пленок
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается образованием...