Патенты с меткой «галлия-алюминия»
Способ получения свободно расположенной монокристаллической пленки арсенида или фосфида галлия-алюминия
Номер инновационного патента: 30019
Опубликовано: 15.06.2015
Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич
МПК: H01L 21/208
Метки: свободно, галлия-алюминия, расположенной, способ, пленки, фосфида, арсенида, получения, монокристаллической
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...
Способ формирования монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия
Номер инновационного патента: 21040
Опубликовано: 16.03.2009
Автор: Францев Юрий Валерьевич
МПК: H01L 21/208
Метки: мембраны, способ, монокристаллической, формирования, фосфида, арсенида, галлия-алюминия
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений А3 В5 и может быть использовано для создания монокристаллических мембран и тонкопленочных полупроводниковых приборов с квантовыми ямами, в частности гетеролазеров.Достигаемый технический результат - сохранение целостности монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия при удалении расплава.Предлагается способ формирования...
Способ получения отделенных пленок арсенида или фосфида галлия-алюминия
Номер патента: 1311
Опубликовано: 15.09.1994
Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич
МПК: H01L 21/208
Метки: получения, галлия-алюминия, отделенных, арсенида, пленок, фосфида, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается образованием...