ПИХАН, Этьенн
Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала
Номер патента: 30495
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: ПИХАН, Этьенн, КАМЕЛ, Дэнис, КОУДУРИЕР, Николас
МПК: C30B 29/06, C30B 11/00, F28F 3/04...
Метки: теплообменник, системы, материала, отверждения, полупроводникового, кристаллизации
Формула / Реферат:
31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...