C30B 11/00 — Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера
Способ для получения кристаллического материала направленной кристаллизацией и устройство для его осуществления, снабженное дополнительным боковым источником тепла
Номер патента: 31438
Опубликовано: 15.08.2016
Авторы: ГАРАНДЕ, Жан-Поль, ЖУЕНИ, Анис, ПЕЛЛЕТЬЕ Давид
МПК: C30B 11/00, C30B 28/06, C01B 33/02...
Метки: кристаллического, источником, материала, тепла, дополнительным, осуществления, кристаллизацией, боковым, получения, способ, направленной, снабженное, устройство
Текст:
...ной близости от указанной линии тройного контактирования. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что индукционная катушка (6) размещается на расстоянии от 1 до 20 мм по отношению к указанной линии тройного контактирования в перпендикулярном направлении . 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что указанный кристаллический материал является полупроводниковым материалом, который имеет более высокую электропроводность в жидкой фазе,чем в твердой...
Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала
Номер патента: 30495
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: КАМЕЛ, Дэнис, ПИХАН, Этьенн, КОУДУРИЕР, Николас
МПК: C30B 11/00, C30B 29/06, F28F 3/04...
Метки: системы, материала, теплообменник, полупроводникового, кристаллизации, отверждения
Формула / Реферат:
31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...
Устройство для получения кристаллического материала в тигле, имеющем неравномерное тепловое сопротивление
Номер патента: 30494
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: ПИАН, Этьен, ЖУЕНИ, Анис, КУСТЬЕ, Фабрис, КАМЭЛЬ, Дэни
МПК: C30B 29/06, C30B 11/00, C30B 11/14...
Метки: тигле, имеющем, неравномерное, материала, тепловое, сопротивление, кристаллического, устройство, получения
Текст:
...лавки материала, подлежащего кристаллизации,при сохранении зародыша кристаллизации (3) как минимум, частично, в твердом состоянии,- создание второго термического градиента в устройстве, представляющем тигель (10), для кристаллизации материала,находящегося в расплавленном состоянии,на зародыше кристаллизации (3). 21. Способ по пункту 20, отличающийся тем,что зародыш кристаллизации расположен в выемке нижней части (2) устройства, образующего...