ЖУЕНИ, Анис
Способ для получения кристаллического материала направленной кристаллизацией и устройство для его осуществления, снабженное дополнительным боковым источником тепла
Номер патента: 31438
Опубликовано: 15.08.2016
Авторы: ПЕЛЛЕТЬЕ Давид, ЖУЕНИ, Анис, ГАРАНДЕ, Жан-Поль
МПК: C30B 28/06, C30B 11/00, C01B 33/02...
Метки: источником, кристаллического, получения, способ, осуществления, материала, снабженное, кристаллизацией, устройство, дополнительным, направленной, тепла, боковым
Текст:
...ной близости от указанной линии тройного контактирования. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что индукционная катушка (6) размещается на расстоянии от 1 до 20 мм по отношению к указанной линии тройного контактирования в перпендикулярном направлении . 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что указанный кристаллический материал является полупроводниковым материалом, который имеет более высокую электропроводность в жидкой фазе,чем в твердой...
Устройство для получения кристаллического материала в тигле, имеющем неравномерное тепловое сопротивление
Номер патента: 30494
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: ЖУЕНИ, Анис, КУСТЬЕ, Фабрис, ПИАН, Этьен, КАМЭЛЬ, Дэни
МПК: C30B 29/06, C30B 11/00, C30B 11/14...
Метки: материала, неравномерное, сопротивление, устройство, получения, тепловое, имеющем, тигле, кристаллического
Текст:
...лавки материала, подлежащего кристаллизации,при сохранении зародыша кристаллизации (3) как минимум, частично, в твердом состоянии,- создание второго термического градиента в устройстве, представляющем тигель (10), для кристаллизации материала,находящегося в расплавленном состоянии,на зародыше кристаллизации (3). 21. Способ по пункту 20, отличающийся тем,что зародыш кристаллизации расположен в выемке нижней части (2) устройства, образующего...