ПЕЛЛЕТЬЕ Давид
Способ для получения кристаллического материала направленной кристаллизацией и устройство для его осуществления, снабженное дополнительным боковым источником тепла
Номер патента: 31438
Опубликовано: 15.08.2016
Авторы: ПЕЛЛЕТЬЕ Давид, ЖУЕНИ, Анис, ГАРАНДЕ, Жан-Поль
МПК: C01B 33/02, C30B 11/00, C30B 28/06...
Метки: снабженное, способ, устройство, дополнительным, получения, кристаллического, тепла, источником, боковым, кристаллизацией, направленной, осуществления, материала
Текст:
...ной близости от указанной линии тройного контактирования. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что индукционная катушка (6) размещается на расстоянии от 1 до 20 мм по отношению к указанной линии тройного контактирования в перпендикулярном направлении . 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что указанный кристаллический материал является полупроводниковым материалом, который имеет более высокую электропроводность в жидкой фазе,чем в твердой...