ГАРАНДЕ, Жан-Поль
Способ для получения кристаллического материала направленной кристаллизацией и устройство для его осуществления, снабженное дополнительным боковым источником тепла
Номер патента: 31438
Опубликовано: 15.08.2016
Авторы: ГАРАНДЕ, Жан-Поль, ЖУЕНИ, Анис, ПЕЛЛЕТЬЕ Давид
МПК: C30B 28/06, C01B 33/02, C30B 11/00...
Метки: материала, снабженное, тепла, получения, кристаллического, дополнительным, кристаллизацией, осуществления, боковым, устройство, источником, направленной, способ
Текст:
...ной близости от указанной линии тройного контактирования. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что индукционная катушка (6) размещается на расстоянии от 1 до 20 мм по отношению к указанной линии тройного контактирования в перпендикулярном направлении . 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что указанный кристаллический материал является полупроводниковым материалом, который имеет более высокую электропроводность в жидкой фазе,чем в твердой...
Устройство и способ механического текстурирования кремниевой пластины, предназначенной для составления фотоэлектрического элемента, и получающаяся в результате кремниевая пластина
Номер патента: 28277
Опубликовано: 17.03.2014
Авторы: ГАРАНДЕ, Жан-Поль, БАНСИЛЛОН, Жаки, ПИРО, Марк, ФЕДЕРЗОНИ, Люк
МПК: H01L 31/18, H01L 31/0236, H01L 21/00...
Метки: механического, текстурирования, предназначенной, фотоэлектрического, пластина, кремниевая, способ, устройство, элемента, получающаяся, результате, составления, пластины, кремниевой
Текст:
...сть силы давления резца генерируется давлением газа, прилагаемым к резцу. 10. Способ по одному из п.п.7-9, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с. 11. Поликристаллическая кремниевая пластина(4), получаемая в соответствии со способом по одному из п.п.7-10,предназначенная для составления фотоэлектрического элемента,поверхность которой включает в себя однородные рисунки гравирования глубиной между 5 и 50...