ПИРО, Марк
Устройство и способ механического текстурирования кремниевой пластины, предназначенной для составления фотоэлектрического элемента, и получающаяся в результате кремниевая пластина
Номер патента: 28277
Опубликовано: 17.03.2014
Авторы: ФЕДЕРЗОНИ, Люк, ПИРО, Марк, ГАРАНДЕ, Жан-Поль, БАНСИЛЛОН, Жаки
МПК: H01L 21/00, H01L 31/18, H01L 31/0236...
Метки: получающаяся, кремниевой, предназначенной, пластина, устройство, текстурирования, результате, фотоэлектрического, способ, кремниевая, механического, элемента, пластины, составления
Текст:
...сть силы давления резца генерируется давлением газа, прилагаемым к резцу. 10. Способ по одному из п.п.7-9, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с. 11. Поликристаллическая кремниевая пластина(4), получаемая в соответствии со способом по одному из п.п.7-10,предназначенная для составления фотоэлектрического элемента,поверхность которой включает в себя однородные рисунки гравирования глубиной между 5 и 50...