H01L 21/00 — Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
Устройство и способ механического текстурирования кремниевой пластины, предназначенной для составления фотоэлектрического элемента, и получающаяся в результате кремниевая пластина
Номер патента: 28277
Опубликовано: 17.03.2014
Авторы: ФЕДЕРЗОНИ, Люк, БАНСИЛЛОН, Жаки, ГАРАНДЕ, Жан-Поль, ПИРО, Марк
МПК: H01L 21/00, H01L 31/0236, H01L 31/18...
Метки: механического, предназначенной, пластины, кремниевая, устройство, кремниевой, составления, текстурирования, результате, получающаяся, элемента, фотоэлектрического, способ, пластина
Текст:
...сть силы давления резца генерируется давлением газа, прилагаемым к резцу. 10. Способ по одному из п.п.7-9, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с. 11. Поликристаллическая кремниевая пластина(4), получаемая в соответствии со способом по одному из п.п.7-10,предназначенная для составления фотоэлектрического элемента,поверхность которой включает в себя однородные рисунки гравирования глубиной между 5 и 50...
Способ изготовления биполярных транзисторов
Номер инновационного патента: 25494
Опубликовано: 15.02.2012
Авторы: Поздняков Алексей Владимирович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Альтай Альшерович, Туякбаев Даулет Алтаевич
МПК: H01L 21/328, H01L 21/00
Метки: изготовления, биполярных, способ, транзисторов
Формула / Реферат:
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов.Способ включает формирование в монокристаллическом кремнии коллекторных, базовых, эмиттерных областей и омических контактов.Новым является то, что коллекторные области получают путем осаждения на кварцевую или стеклянную подложку пленки гидрогенизирован-ного аморфного кремния n-типа, на которую осаждают пленку p-типа аморфного...
Способ формирования контактного рисунка
Номер инновационного патента: 20593
Опубликовано: 15.12.2008
Автор: Францев Юрий Валерьевич
МПК: H01L 21/00
Метки: способ, формирования, контактного, рисунка
Формула / Реферат:
Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов, в частности, к способам создания контактов к полупроводниковым структурам и может быть использовано для форми-рования фронтальной контактной сетки при изго-товлении солнечных элементов.Достигаемый технический результат - повы-шение рабочей температуры маскирующего слоя и экологической чистоты процесса.Предлагается способ формирования контактного рисунка, включающий локальное...
КМОП интегральная схема
Номер предварительного патента: 4791
Опубликовано: 16.06.1997
Авторы: Садыков Аскарбек Амыркулович, Туякбаев Альтай Альшерович, Искаков Бейсенбай Мамаевич, Баекенов Марат Абдрахманович
МПК: H01L 21/00
Метки: интегральная, схема, кмоп
Формула / Реферат:
Предлагаемое изобретение относится к области полупроводниковой техники. Оно может быть использовано в устройствах, предназначенных для работы в условиях проникающей радиации. Более конкретно, речь идет о КМОП интегральных схемах, отличающихся повышенной радиационной стойкостью.Техническим результатом изобретения является повышение радиационной стойкости КМОП интегральных схем.Новым является то, что предлагаемая КМОП интегральная схема...