Способ изготовления биполярных транзисторов

(51) 01 21/00 (2010.01) 01 21/328 (2010.01) КОМИТЕТ ПО ПРАВАМ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ МИНИСТЕРСТВА ЮСТИЦИИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ИННОВАЦИОННОМУ ПАТЕНТУ Способ включает формирование в монокристаллическом кремнии коллекторных,базовых, эмиттерных областей и омических контактов. Новым является то, что коллекторные области получают путем осаждения на кварцевую или стеклянную подложку пленки гидрогенизированного аморфного кремния -типа, на которую осаждают пленку-типа аморфного гидрогенизированного карбида кремния путем медленного повышения концентрации метана в смеси с силаном, после чего осаждают пленку аморфного гидрогенизированного карбида сремния(76) Алдамжаров Казбек Бахитович Туякбаев Альтай Альшерович Поздняков Алексей Владимирович Туякбаев Даулет Альтаевич(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ(57) Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов. 25494 Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов. Известен способ изготовления биполярных транзисторов,включающий эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой кристаллической подложке другого типа проводимости, окисление,маскирование, травление, формирование базовых,эмиттерных областей транзисторных структур и омических контактов 1. Основным недостатком данного способа является сравнительно низкая радиационная стойкость и высокая себестоимость, получаемых по данному способу изготовления биполярных транзисторов. Настоящим изобретением решается задача повышения стойкости и снижение себестоимости,изготавливаемых по предлагаемому способу биполярных транзисторов. Это достигается тем, что в способе, включающем формирование в монокристаллическом кремнии коллекторных, базовые, эмиттерных областей и омических контактов, согласно предлагаемому изобретению, коллекторные области получают путем осаждения на кварцевую или стеклянную подложку пленки гидрогенизированного аморфного кремния -типа, на которую осаждают пленку-типа аморфного гидрогенизированного карбида кремния путем медленного повышения концентрации метана в смеси с силаном, после чего осаждают пленку аморфного гидрогенизированного карбида кремния -типа. Сущность предлагаемого изобретения заключается в следующем. Известно,что радиационная стойкость биполярные кремниевых транзисторов, в основном определяется процессами,происходящими в области базы. Следует отметить,что у транзисторов,изготавливаемых по предлагаемому способу, базовая область получается и виде пленки гидрогенизированного аморфного карбида кремния из-за чего можно говорить о значительном повышении их радиационной стойкости. А то, что в области базы наблюдается плавное уменьшение ширины запрещенной зоны материала от эмиттера к коллектору из-за медленного увеличения концентрации метана в газовой смеси с силаном, приводит к появлению в области базы сильного, встроенного ускоряющего электроны электрического поля, из-за чего повышается быстродействие транзистора. Таким образом, у транзисторов, изготавливаемых по предлагаемому способу, повышается радиационная стойкость и понижается себестоимость. Последнее объясняется тем, что в предлагаемом способе не используется монокристаллический кремний,который в основном определяет высокую себестоимость современных транзисторов. Пример. Экспериментальные образцы транзисторов были изготовлены на вакуумной установке ВУП-4. При этом, чтобы получить коллекторные области транзисторов необходимо было при температуре 350450 С осаждать (при этом кварцевая подложка также подогревается), в аргоно-водородной атмосфере с добавлением фосфина из моносилана, пленку гидрогенизированного аморфного кремния, после чего, медленно добавляя в газовую смесь метан и заменив фосфин на диборан попучали базовые области, а эмиттерные области получали из газовой смеси, в которой силан и метан, примерно, в равных пропорциях, с добавлением фосфина и в аргоно-водородной атмосфере. При этом, следует отметить, что материал эмиттерных областей получался с шириной запрещенной зоны в пределах 2,6 эВ, а коллекторных областей - в пределах 1,6 эВ. Полученные транзисторные структуры подвергали радиационной обработке на кобальтовой установке. Испытания показали, что при потоке -квантов 108 Рентген характеристики транзисторов, практически не изменились, в то время как у биполярных кремниевых транзисторов КТ 315 Б коэффициенты передачи тока базы уменьшились более чем в 2 раза. Таким образом,предлагаемый способ изготовления биполярных транзисторов, позволяет снизить себестоимость и повысить радиационную стойкость, получаемых транзисторов. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ Способ изготовления биполярных транзисторов,включающий формирование в монокристаллическом кремнии коллекторных,базовых,эмиттерных областей и омических контактов,отличающийся тем, что коллекторные области получают путем осаждения на кварцевую или стеклянную подложку пленки гидрогенизированного аморфного кремния -типа, на которую осаждают пленку р-типа аморфного гидрогенизированного карбида кремния путем медленного повышения концентрации метана в смеси с силаном, после чего осаждают пленку аморфного гидрогенизированного карбида кремния