Патенты с меткой «схем»

Номер инновационного патента: 31509

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Бухарбаев Куралбай Сейтбаевич, Грищенко Валентина Феодоровна, Жантаев Жумабек Шабденамович, Төлендіұлы Санат

МПК: G01R 31/28

Метки: схем, частиц, единичных, космического, интегральных, сбоев, пространства, способ, регистрации, заряженных, воздействии, тяжелых

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам регистрации единичных сбоев интегральных схем (ИС) при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства (КП) и может быть использовано при испытаниях космических аппаратов. В результате регистрации единичных сбоев в ячейках модулей памяти в момент воздействия одиночных тяжелых ядер различных энергий осколками деления ОД, а -частицами от источника252 3Cf в вакууме ~ 10° торр. с дальнейшей...

Номер инновационного патента: 30371

Опубликовано: 15.09.2015

Авторы: Литвиненко Геннадий Григорьевич, Литвиненко Наталья Геннадьевна

МПК: G01C 11/00

Метки: приближенных, способ, привязки, растрового, местности, формата, схем

Формула / Реферат:

Настоящее изобретение относится к области картографии и мнемосхем и может быть использовано при разработках различных проектов, в которых составной частью является работа с картами. В частности, в организациях, осуществляющих (IPS -мониторинг движения общест венных транспортных средств, при проведении различных охранных мероприятий, а также при по­строении схем маршрутов движения общественного транспортаПредложен способ привязки приближенных...

Номер патента: 11243

Опубликовано: 15.02.2007

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Данияр Алтаевич, Медеуов Улугбек Идрисович

МПК: H01L 21/8238

Метки: схем, интегральных, способ, кмоп, изготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления КМОП интегральных микросхем.Способ включает последовательное, на изолирующей подложке, с помощью соответствующих масок, эпитаксиальное наращивание столбиков кремния р-типа и n-типа, формирование комплиментарных пар МОП транзисторов, омических контактов и межсоединений.Новым является то, что вместо сапфировой подложки берут стеклянную или керамическую,...

Номер патента: 5091

Опубликовано: 14.04.2000

Авторы: Стиава Ральф, Манике Ульрих, Герике Мартин

МПК: H04M 19/02

Метки: коммутирующее, защитное, устройство, абонентских, электронных, схем

Формула / Реферат:

Электронные абонентские схемы (АС), так называемые Subsсribеr Linе Iпtеrfасе Сirсuts, особенно чувствительны к перенапряжениям, которые возникают, прежде всего, от влияния молний и угрожают их нормальному функционированию. Для защиты от перенапряжений известны коммутирующие устройства с дорогостоящими конструктивными элементами и/или другими дорогостоящими схемами. Задачей изобретения является создание коммутирующего защитного устройства с...

Номер предварительного патента: 4073

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Баекенов Марат Абдрахманович

МПК: H01L 21/26

Метки: биполярных, схем, транзисторов, изготовления, интегральных, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем. Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем. В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окисление,...