Способ регистрации единичных сбоев интегральных схем при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства

Номер инновационного патента: 31508

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Грищенко Валентина Феодоровна, Төлендіұлы Санат, Жантаев Жумабек Шабденамович, Жумабаев Бейбит Тенелович, Бухарбаев Куралбай Сейтбаевич

МПК: G01R 31/26

Метки: систем, установка, заряженных, регистрации, пространства, частиц, воздействии, сбоев, космического, тяжелых, единичных, интегральных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано для регистрации единичных сбоев в интегральных схемах (ИС) при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) космического пространства (КП) для оптимизации состава бортовой электронной аппаратуры. Установка, содержающая цилиндрическую камеру, источник излучения изотоп калифорния 252 (252Cf), предметный столик, электрические контакты, вакуумный вывод, вакуумную...

Номер инновационного патента: 21142

Опубликовано: 15.04.2009

Автор: Грищенко Валентина Федоровна

МПК: G05B 23/00, G06F 11/30

Метки: условиях, основе, регистрации, пространства, сбоев, способ, базы, элементной, кремния, космического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к космическим летательным аппаратам, а именно к полупроводниковой электронике космических аппаратов и может быть использовано для регистрации сбоев модулей памяти в условиях космического пространства. Одновременная регистрация сбоев модулей памяти и электрофизических характеристик кремния в космических условиях с помощью микро-процессорной системы, запись информации о сбоях и электрофизических характеристик кремния с...

Номер патента: 11243

Опубликовано: 15.02.2007

Авторы: Медеуов Улугбек Идрисович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Данияр Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 21/8238

Метки: схем, интегральных, изготовления, способ, кмоп

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления КМОП интегральных микросхем.Способ включает последовательное, на изолирующей подложке, с помощью соответствующих масок, эпитаксиальное наращивание столбиков кремния р-типа и n-типа, формирование комплиментарных пар МОП транзисторов, омических контактов и межсоединений.Новым является то, что вместо сапфировой подложки берут стеклянную или керамическую,...

Номер предварительного патента: 4073

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Баекенов Марат Абдрахманович

МПК: H01L 21/26

Метки: изготовления, интегральных, способ, биполярных, схем, транзисторов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем. Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем. В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окисление,...

Номер инновационного патента: 30476

Опубликовано: 15.10.2015

Авторы: Саулебеков Арман Ормашович, Ашимбаева Багила Умарбаевна, Камбарова Жанар Турсыновна

МПК: H01J 49/22

Метки: частиц, энергий, электростатический, анализатор, заряженных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к спектрометрии пучков заряженных частиц и может быть использовано для построения энергоанализаторов высокой разрешающей способности и большой светосилы.Задача предложенного изобретения состоит в улучшении электронно-оптических характеристик анализаторов - энергетического разрешения и светосилы. Технический результат достигается тем, что электростатический энергоанализатор заряженных частиц содержит осесимметричные...