H01L 21/26 — воздействие волновым излучением или излучением частиц
Способ создания силицидового слоя
Номер предварительного патента: 7342
Опубликовано: 15.03.1999
Автор: Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович
МПК: H01L 21/26
Метки: слоя, способ, силицидового, создания
Формула / Реферат:
Способ относится к технологическим методам твердотельной электроники и может быть использован при создании диодных, транзисторных, тиристорных и оптоэлектронных устройств на кремнии.Для упрощения способа создания силицидового слоя осуществляют контролируемое наводороживание поверхности кремния, пассивацию ее гидридными Si-H связями. Способ позволяет снижать температуру формирования силицида за счет активации процесса силицидообразования...
Способ изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем
Номер предварительного патента: 4073
Опубликовано: 16.12.1996
Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Баекенов Марат Абдрахманович
МПК: H01L 21/26
Метки: интегральных, транзисторов, способ, изготовления, схем, биполярных
Формула / Реферат:
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем. Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем. В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окисление,...