Способ создания силицидового слоя
Номер предварительного патента: 7342
Опубликовано: 15.03.1999
Формула / Реферат
Способ относится к технологическим методам твердотельной электроники и может быть использован при создании диодных, транзисторных, тиристорных и оптоэлектронных устройств на кремнии.
Для упрощения способа создания силицидового слоя осуществляют контролируемое наводороживание поверхности кремния, пассивацию ее гидридными Si-H связями. Способ позволяет снижать температуру формирования силицида за счет активации процесса силицидообразования гидридными Si-Н связями и повышать качество барьера Шоттки за счет создания резкого профиля распределения силицидовой фазы на границе раздела силицид/кремний
МПК / Метки
МПК: H01L 21/26
Метки: способ, создания, силицидового, слоя
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-pp7342-sposob-sozdaniya-silicidovogo-sloya.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ создания силицидового слоя</a>