Способ изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем
Номер предварительного патента: 4073
Опубликовано: 16.12.1996
Авторы: Баекенов Марат Абдрахманович, Туякбаев Альтай Альшерович
Формула / Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем.
Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем.
В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окисление, маскирование, травление, формирование базовых, эмиттерных областей транзисторных структур и омических контактов, предлагается базовые области транзисторов легировать с концентрацией примеси 4·1017·1018см -3 у эмиттерной границы и (1·2)·1016 см -3 у коллекторной границы при ширине базы 0,05-0,4 мкм, а после формирования омических контактов структуры облучать быстрыми электронами интегральным потоком 1016·1017 см -2 при энергии электронов 2-10 мэВ и отжигают при температуре 200-500°С.
МПК / Метки
МПК: H01L 21/26
Метки: изготовления, биполярных, транзисторов, способ, интегральных, схем
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-pp4073-sposob-izgotovleniya-bipolyarnyh-tranzistorov-i-integralnyh-shem.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем</a>
Предыдущий патент: Будильник
Следующий патент: Устройство и сельскохозяйственный агрегат для внесения в почву гранулированных химических материалов и их распределительный клапан
Случайный патент: Пластиковая емкость