Баекенов Марат Абдрахманович

Номер патента: 4770

Опубликовано: 15.09.1999

Авторы: Косилбеков Айсултан Нурганбаевич, Туякбаев Султан Алтаевич, Тапалов Турганбек Тапалович, Баекенов Марат Абдрахманович, Садыков Аскарбек Амиркулович, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: G01F 23/00

Метки: раздела, жидких, измерения, двух, сред, устройство, уровня

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно, к конструированию и созданию приборов для измерения уровня.Технический результат изобретения состоит в повышении точности измерения и удобства его в эксплуатации, а также в снижении стоимости устройства.В устройстве, содержащем чувствительный элемент, включающий излучатель и приемник излучения, а также усилитель и вторичный прибор, в качестве излучателя используется источник света,...

Номер полезной модели: 46

Опубликовано: 15.01.1999

Авторы: Паничев Александр Николаевич, Баекенов Марат Абдрахманович

МПК: H01P 5/18

Метки: электрических, распределения, мощности, сигналов, устройство, направленного

Формула / Реферат:

Полезная модель относится к области радиотехники и может быть использована в качестве делителей (сумматоров) мощности высокочастотных квадратурных сигналов.Помимо согласованных несвязанных электриче-ских линий, устройство содержит индуктивные эле-менты с переменным коэффициентом связи, что дает возможность реализовать его на дискретно распределенных элементах. В отличие от аналогов габа-ритные размеры предложенной полезной модели в 3-4 раза...

Номер полезной модели: 31

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Васильев Иван Вениаминович, Галиуллин Рафаил Мунирович, Баекенов Марат Абдрахманович

МПК: B65G 33/16

Метки: шнек

Формула / Реферат:

Полезная модель относится к гибким шнекам. Шнек выполнен из натянутой на каркас в форме спирали плоской ленты, преобразованной в результате такого натяжения в складчатую винтовую поверхность. Отличительной особенностью шнека является то, что лента выполнена из токопроводящего материала. Шнек позволяет уменьшить сопротивление транспортируемого материала его перемещению, обеспечивает возможность совмещения транспортной и других технологических...

Номер предварительного патента: 4771

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Баекенов Марат Абдрахманович, Садыков Аскарбек Амыркулович, Туякбаев Альтай Альшерович, Галиуллин Рафаил Мунирович, Жунусов Зангар Абильхасимович, Васильев Владимир Романович

Метки: термометров, способ, сопротивления, изготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при измерении температуры.Предлагается в качестве термочувствительного элемента в термометрах сопротивления использовать металлическую проволоку, предварительно покрытую пленкой нитрида титана, толщиной 10-25 мкм, путем катодноионного распыления титана в вакууме в присутствии азота при температуре 350-450°C.Достигаемый технический результат - расширение диапазона...

Номер предварительного патента: 4791

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Баекенов Марат Абдрахманович, Искаков Бейсенбай Мамаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Садыков Аскарбек Амыркулович

МПК: H01L 21/00

Метки: интегральная, схема, кмоп

Формула / Реферат:

Предлагаемое изобретение относится к области полупроводниковой техники. Оно может быть использовано в устройствах, предназначенных для работы в условиях проникающей радиации. Более конкретно, речь идет о КМОП интегральных схемах, отличающихся повышенной радиационной стойкостью.Техническим результатом изобретения является повышение радиационной стойкости КМОП интегральных схем.Новым является то, что предлагаемая КМОП интегральная схема...

Номер предварительного патента: 4073

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Баекенов Марат Абдрахманович

МПК: H01L 21/26

Метки: изготовления, способ, транзисторов, схем, интегральных, биполярных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем. Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем. В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окисление,...