Патенты с меткой «интегральных»

Номер инновационного патента: 31508

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Жумабаев Бейбит Тенелович, Грищенко Валентина Феодоровна, Бухарбаев Куралбай Сейтбаевич, Төлендіұлы Санат, Жантаев Жумабек Шабденамович

МПК: G01R 31/26

Метки: пространства, воздействии, заряженных, установка, единичных, систем, регистрации, космического, тяжелых, интегральных, частиц, сбоев

Формула / Реферат:

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано для регистрации единичных сбоев в интегральных схемах (ИС) при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) космического пространства (КП) для оптимизации состава бортовой электронной аппаратуры. Установка, содержающая цилиндрическую камеру, источник излучения изотоп калифорния 252 (252Cf), предметный столик, электрические контакты, вакуумный вывод, вакуумную...

Номер инновационного патента: 31509

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Грищенко Валентина Феодоровна, Төлендіұлы Санат, Бухарбаев Куралбай Сейтбаевич, Жантаев Жумабек Шабденамович

МПК: G01R 31/28

Метки: способ, тяжелых, единичных, интегральных, сбоев, регистрации, космического, пространства, воздействии, частиц, заряженных, схем

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам регистрации единичных сбоев интегральных схем (ИС) при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства (КП) и может быть использовано при испытаниях космических аппаратов. В результате регистрации единичных сбоев в ячейках модулей памяти в момент воздействия одиночных тяжелых ядер различных энергий осколками деления ОД, а -частицами от источника252 3Cf в вакууме ~ 10° торр. с дальнейшей...

Номер патента: 11243

Опубликовано: 15.02.2007

Авторы: Туякбаев Данияр Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Медеуов Улугбек Идрисович, Алдамжаров Казбек Бахитович

МПК: H01L 21/8238

Метки: способ, изготовления, схем, кмоп, интегральных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления КМОП интегральных микросхем.Способ включает последовательное, на изолирующей подложке, с помощью соответствующих масок, эпитаксиальное наращивание столбиков кремния р-типа и n-типа, формирование комплиментарных пар МОП транзисторов, омических контактов и межсоединений.Новым является то, что вместо сапфировой подложки берут стеклянную или керамическую,...

Номер предварительного патента: 4073

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Баекенов Марат Абдрахманович, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 21/26

Метки: биполярных, схем, изготовления, способ, транзисторов, интегральных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем. Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем. В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окисление,...