Формула / Реферат

Предлагаемое изобретение относится к области полупроводниковой техники. Оно может быть использовано в устройствах, предназначенных для работы в условиях проникающей радиации. Более конкретно, речь идет о КМОП интегральных схемах, отличающихся повышенной радиационной стойкостью.
Техническим результатом изобретения является повышение радиационной стойкости КМОП интегральных схем.
Новым является то, что предлагаемая КМОП интегральная схема дополнительного содержит шесть резисторов и комплиментарную пару МОП-транзисторов, при этом исток n-канального транзистора соединен со своей подложкой и с первым электродом первого дополнительного резистора, второй электрод соединен с общей шиной, сток соединен с шиной питания, а затвор соединен с общей точкой делителя напряжения между шиной питания и общей шиной, образованного вторым и третьим дополнительными резисторами, источник р-канального транзистора соединен со своей подложкой и с первым электродом четвертого дополнительного резистора, второй электрод соединен с шиной питания, сток соединен с общей шиной, а затвор соединен с общей точкой делителя напряжения между шиной питания и общей шиной, образованного пятым и шестым дополнительными резисторами.

МПК / Метки

МПК: H01L 21/00

Метки: кмоп, схема, интегральная

Код ссылки

<a href="https://kz.patents.su/0-pp4791-kmop-integralnaya-shema.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">КМОП интегральная схема</a>

Похожие патенты