H01L 21/328 — многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров

Номер инновационного патента: 25494

Опубликовано: 15.02.2012

Авторы: Поздняков Алексей Владимирович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Альтай Альшерович, Туякбаев Даулет Алтаевич

МПК: H01L 21/328, H01L 21/00

Метки: способ, биполярных, транзисторов, изготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов.Способ включает формирование в монокристаллическом кремнии коллекторных, базовых, эмиттерных областей и омических контактов.Новым является то, что коллекторные области получают путем осаждения на кварцевую или стеклянную подложку пленки гидрогенизирован-ного аморфного кремния n-типа, на которую осаждают пленку p-типа аморфного...