Патенты с меткой «фотоэлектрического»
Способ повышения эффективности фотоэлектрического водоподъемника
Номер патента: 31396
Опубликовано: 29.07.2016
Авторы: Сарбасов Дастан Джурмаханбетович, Новохатский Владимир Николаевич
МПК: H01L 31/052
Метки: эффективности, фотоэлектрического, повышения, водоподъемника, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к возобновляемым источникам энергии, в частности, к фотоэлектрическим водоподъемникам.Задача изобретения - создание эффективного водоподъемника.Технический результат изобретения - упрощение конструкции, снижение трудоемкости при его монтаже и эксплуатации в различных условиях местности, повышение эффективности охлаждения и очистки поверхности фотоэлектрических панелей за счет введения системы электронного управления работой...
Цементное изделие, особенно подходящее в качестве подложки для тонкопленочного фотоэлектрического модуля и способ его изготовления
Номер патента: 29081
Опубликовано: 15.10.2014
Авторы: КАПОНЕ, Клаудиа, АЛФАНИ, Роберта, ПЛЕБАНИ, Марко
МПК: C04B 28/04, E04D 13/18, H01L 31/0392...
Метки: изделие, подложки, фотоэлектрического, модуля, подходящее, способ, изготовления, качестве, тонкопленочного, цементное, особенно
Текст:
...ховатость поверхностине более 500 нм цементному изделию на этапе формования. 12. Способ по п.10, отличающийся тем, что включает стадию смешивания компонентов цементного изделия в пластичном состоянии с помощью каландрирования до формования в прессформе. 13. Применение цементного изделия,сформированного прессованием в форме, со средней шероховатостью поверхностине более 500 нм в виде подложки для пленки в тонкопленочных фотоэлектрических...
Устройство и способ механического текстурирования кремниевой пластины, предназначенной для составления фотоэлектрического элемента, и получающаяся в результате кремниевая пластина
Номер патента: 28277
Опубликовано: 17.03.2014
Авторы: ФЕДЕРЗОНИ, Люк, ГАРАНДЕ, Жан-Поль, ПИРО, Марк, БАНСИЛЛОН, Жаки
МПК: H01L 21/00, H01L 31/18, H01L 31/0236...
Метки: кремниевая, составления, устройство, пластины, кремниевой, предназначенной, элемента, пластина, способ, механического, фотоэлектрического, текстурирования, получающаяся, результате
Текст:
...сть силы давления резца генерируется давлением газа, прилагаемым к резцу. 10. Способ по одному из п.п.7-9, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с. 11. Поликристаллическая кремниевая пластина(4), получаемая в соответствии со способом по одному из п.п.7-10,предназначенная для составления фотоэлектрического элемента,поверхность которой включает в себя однородные рисунки гравирования глубиной между 5 и 50...