H01L 31/0392 — содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки
Способ получения тонкопленочных структур на основе кремния
Номер инновационного патента: 30246
Опубликовано: 17.08.2015
Авторы: Чучвага Николай Алексеевич, Токмолдин Серекбол Жарылгапович, Клименов Василий Васильевич, Омаров Марат Ахметович, Токмолдин Нурлан Серекболович
МПК: C30B 29/06, C30B 30/04, C30B 30/02...
Метки: получения, структур, способ, кремния, тонкопленочных, основе
Формула / Реферат:
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...
Цементное изделие, особенно подходящее в качестве подложки для тонкопленочного фотоэлектрического модуля и способ его изготовления
Номер патента: 29081
Опубликовано: 15.10.2014
Авторы: ПЛЕБАНИ, Марко, КАПОНЕ, Клаудиа, АЛФАНИ, Роберта
МПК: E04D 13/18, H01L 31/0392, C04B 28/04...
Метки: цементное, подходящее, тонкопленочного, модуля, изготовления, изделие, способ, качестве, особенно, фотоэлектрического, подложки
Текст:
...ховатость поверхностине более 500 нм цементному изделию на этапе формования. 12. Способ по п.10, отличающийся тем, что включает стадию смешивания компонентов цементного изделия в пластичном состоянии с помощью каландрирования до формования в прессформе. 13. Применение цементного изделия,сформированного прессованием в форме, со средней шероховатостью поверхностине более 500 нм в виде подложки для пленки в тонкопленочных фотоэлектрических...