Альжанова Алия Ермековна
Способ получения нанопористого материала на основе структур SiO/Si
Номер инновационного патента: 31503
Опубликовано: 30.09.2016
Авторы: Акилбеков Абдираш Тасанович, Альжанова Алия Ермековна, Даулетбекова Алма Кабдиновна
Метки: структур, основе, нанопористого, получения, способ, материала
Формула / Реферат:
Сущность изобретения: создание на основе облученного ионами 130Хе и 86Кг на экспериментальном канале ускорителя DC-60, предназначенном для физики твердого тела, расположенном в Междисциплинарном научно-исследовательском комплексе в г. Астана аморфного SiCVSi нового на- нопористого материала с нанопорами конической формы методом вытравливания треков ионов, со средним диаметром нанопор 127-197 нм.