Акилбеков Абдираш Тасанович
Способ получения нанопористого материала на основе структур SiO/Si
Номер инновационного патента: 31503
Опубликовано: 30.09.2016
Авторы: Альжанова Алия Ермековна, Акилбеков Абдираш Тасанович, Даулетбекова Алма Кабдиновна
Метки: способ, нанопористого, материала, структур, получения, основе
Формула / Реферат:
Сущность изобретения: создание на основе облученного ионами 130Хе и 86Кг на экспериментальном канале ускорителя DC-60, предназначенном для физики твердого тела, расположенном в Междисциплинарном научно-исследовательском комплексе в г. Астана аморфного SiCVSi нового на- нопористого материала с нанопорами конической формы методом вытравливания треков ионов, со средним диаметром нанопор 127-197 нм.
Сцинтилляционный материал – кристалл LiF – TiO2
Номер инновационного патента: 30352
Опубликовано: 15.09.2015
Авторы: Даулетбекова Алма Кабдиновна, Абдрахметова Айнаш Ашимовна, Лисицына Людмила Александровна, Акилбеков Абдираш Тасанович, Касымкановна Райгуль Нурбековна
МПК: C09K 11/68, C09K 11/08, C09K 11/61...
Метки: материал, сцинтилляционный, кристалл
Формула / Реферат:
Изобретение относится к применению химического соединения LiF -ТЮ2 как нового сцинтилляционного материала.Излучательный переход в области 3 эВ в исследуемых кристаллах обладает свойствами, необходимыми для использования этих материалов в качестве сцинтилляторов: световыход и характристическон время затухания свечения не зависят от температуры и дозы облучения. Время характеристического затухания 100нс.Исследование спектрально-кинетических...