H01L 33/00 — Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
Способ усиления собственной люминесценции щелочногалоидных кристаллов
Номер предварительного патента: 14383
Опубликовано: 05.05.2004
Автор: Сармуханов Ербол Тулегенович
МПК: F21K 2/00, H01L 33/00
Метки: кристаллов, щелочногалоидных, усиления, люминесценции, собственной, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к физике твердого телаи может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов - твердотельных сцинтилляционных детекторов.Результатом изобретения является улучшениелюминесцентных свойств, обусловленное увеличением интенсивности полосы излучения, повышениенадежности и долговечности, простота реализацииспособа усиления собственной люминесценции,упрощение технологии изготовления, стабильностьи улучшение их...
Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках
Номер предварительного патента: 8724
Опубликовано: 15.03.2000
Авторы: Баимбетов Фазылхан Баимбетович, Сериков Тулеуш Пауеденович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович
МПК: H01L 33/00, F21K 2/08
Метки: полупроводниках, способ, центров, излучения, люминесцентного, создания, интенсивного
Формула / Реферат:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...