Патенты с меткой «центров»
Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках
Номер предварительного патента: 8724
Опубликовано: 15.03.2000
Авторы: Сериков Тулеуш Пауеденович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович
МПК: H01L 33/00, F21K 2/08
Метки: люминесцентного, способ, излучения, создания, центров, полупроводниках, интенсивного
Формула / Реферат:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...