Патенты с меткой «полупроводниках»
Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках
Номер предварительного патента: 8724
Опубликовано: 15.03.2000
Авторы: Сериков Тулеуш Пауеденович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович
МПК: F21K 2/08, H01L 33/00
Метки: центров, создания, интенсивного, полупроводниках, способ, излучения, люминесцентного
Формула / Реферат:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...