Баимбетов Фазылхан Баимбетович
Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках
Номер предварительного патента: 8724
Опубликовано: 15.03.2000
Авторы: Сериков Тулеуш Пауеденович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович
МПК: F21K 2/08, H01L 33/00
Метки: излучения, центров, люминесцентного, создания, интенсивного, способ, полупроводниках
Формула / Реферат:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...