F21K 2/08 — возбуждаемую электрическим полем, т.е. электролюминесценцию
Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках
Номер предварительного патента: 8724
Опубликовано: 15.03.2000
Авторы: Сериков Тулеуш Пауеденович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович
МПК: F21K 2/08, H01L 33/00
Метки: центров, интенсивного, полупроводниках, люминесцентного, создания, способ, излучения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...