Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках
Номер предварительного патента: 8724
Опубликовано: 15.03.2000
Авторы: Сериков Тулеуш Пауеденович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович
Формула / Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.
Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических операций, простота реализации полупроводников различной площади и глубины залегания модифицированного слоя.
Это достигается воздействием на полупроводник импульсным лазерным излучением и последующим отжигом в атмосфере водорода.
МПК / Метки
МПК: F21K 2/08, H01L 33/00
Метки: полупроводниках, создания, способ, люминесцентного, интенсивного, излучения, центров
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-pp8724-sposob-sozdaniya-centrov-intensivnogo-lyuminescentnogo-izlucheniya-v-poluprovodnikah.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения подвижности ионов в коронном разряде
Следующий патент: Зерноуборочный комбайн
Случайный патент: Абонентное устройство