Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках

Формула / Реферат

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.
Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических операций, простота реализации полупроводников различной площади и глубины залегания модифицированного слоя.
Это достигается воздействием на полупроводник импульсным лазерным излучением и последующим отжигом в атмосфере водорода.

МПК / Метки

МПК: F21K 2/08, H01L 33/00

Метки: полупроводниках, создания, способ, люминесцентного, интенсивного, излучения, центров

Код ссылки

<a href="https://kz.patents.su/0-pp8724-sposob-sozdaniya-centrov-intensivnogo-lyuminescentnogo-izlucheniya-v-poluprovodnikah.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках</a>

Похожие патенты