Способ создания p-n переходов

Номер предварительного патента: 8724

Опубликовано: 15.03.2000

Авторы: Ибраев Бауржан Мухтарханович, Сериков Тулеуш Пауеденович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович

МПК: F21K 2/08, H01L 33/00

Метки: полупроводниках, способ, люминесцентного, излучения, интенсивного, центров, создания

Формула / Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...

Номер предварительного патента: 7342

Опубликовано: 15.03.1999

Автор: Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01L 21/26

Метки: способ, создания, силицидового, слоя

Формула / Реферат:

Способ относится к технологическим методам твердотельной электроники и может быть использован при создании диодных, транзисторных, тиристорных и оптоэлектронных устройств на кремнии.Для упрощения способа создания силицидового слоя осуществляют контролируемое наводороживание поверхности кремния, пассивацию ее гидридными Si-H связями. Способ позволяет снижать температуру формирования силицида за счет активации процесса силицидообразования...

Номер предварительного патента: 7247

Опубликовано: 15.02.1999

Автор: Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01J 49/08

Метки: способ, создания, бета-спектрометрического, источника

Формула / Реферат:

Изобретение относится к методам электронной спектроскопии и может быть использовано в аналитическом приборостроении.Техническим результатом предлагаемого способа создания бета-спектрометрического источника с компенсацией электронно-оптической ширины изображения является: 1) упрощение способа создания бета-источника путем совмещения операций создания высокоомной кремниевой подложки и активации изотопа исследуемого вещества при облучении...

Номер предварительного патента: 5418

Опубликовано: 15.12.1997

Автор: Востриков Василий Никитович

МПК: A01G 23/00

Метки: защитных, создания, способ, лесонасаждений

Формула / Реферат:

Изобретение относится к лесному хозяйству, в частности, к области искусственных защитных лесонасаждений, и может быть использовано для очистки загрязненного воздуха в городах, расположенных у подножий гор, с малой интенсивностью ветров.Достигаемый технический результат - повышение эффективности поглощения смога.Способ заключается в формировании продуваемых лесонасаждений из хвойных деревьев. Насаждения создают в виде двух дугообразных...

Номер патента: 6407

Опубликовано: 15.10.1999

Авторы: Мюлдер Элвира Хендрика, Хартманн Робин Адрианус

МПК: G01V 3/26

Метки: почвенной, способ, создания, скважины, ствола, формации, система, осуществления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области бурения скважин, в частности скважин, ориентированных относительно друг друга.Технический результат - повышение надежности определения направления скважин.Для этого при создании ствола скважины в почвенной формации в выбранном направлении по отношению к соседнему стволу скважины, образованному в почвенной формации, располагают источник электромагнитного излучения в первом из вышеуказанных стволов скважин во многих...